[发明专利]封装装置和封装设备有效
申请号: | 201410230685.9 | 申请日: | 2014-05-28 |
公开(公告)号: | CN104051495B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 藤野诚治;黄国东;张小磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 装置 设备 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种封装装置和封装设备。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称:OLED)显示技术具有自发光的特性,采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板,当有电流通过时,这些有机材料就会发光,而且OLED显示屏幕可视角度大,并且能够显著节省电能。因此,随着显示技术的发展,OLED的应用越来越广泛。例如:作为OLED技术一种重要应用的有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,简称:AMOLED)显示技术的应用越来越广泛。AMOLED显示技术具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点。
在OLED显示装置的制造过程中,需要通过封装设备将制备完成的第一基板和第二基板进行封装,以形成显示装置。其中,封装设备为UV照射一体封装设备。封装设备可包括上石英平台和下石英平台,上石英平台上可设置第二基板,下石英平台上可设置掩膜板,而第一基板设置于掩膜板上。其中,第一基板和第二基板形成显示装置。
现有技术存在如下技术问题:
1)在封装过程中需要通过机械固定对位机构对第一基板进行对位,并在对位之后保持第一基板固定于掩膜板上,而结构复杂的机械固定对位机构产生的应力容易造成第一基板变形;
2)在掩膜板上需要采用机械固定对位方式对位第一基板,而后在将第一基板和第二基板压合过程中,机械固定对位机构会干涉上石英平台,这样会造成第一基板和第二基板之间产生气泡以及对位精度低,通常对位精度为±7um;
3)若在压合过程中机械固定对位机构后退,则机械固定对位机构不会干涉上石英平台,但是机械固定对位机构在后退的过程中容易造成第一基板从掩膜板上滑落。
发明内容
本发明提供一种封装装置和封装设备,用于避免第一基板变形,避免第一基板和第二基板之间产生气泡,提高对位精度,以及避免压合过程中第一基板从掩膜板滑落。
为实现上述目的,本发明提供了一种封装装置,包括掩膜板和与所述掩膜板电连接的控制电路;
所述控制电路,用于控制所述掩膜板以使所述掩膜板静电吸附第一基板或者释放所述第一基板。
可选地,所述掩膜板包括基底、位于所述基底之上的图形层和位于所述图形层之上的绝缘层,所述图形层包括:图形结构和位于所述图形结构之间的开口结构,所述图形结构与所述控制电路电连接。
可选地,所述掩膜板还包括位于所述基底侧边的第一连接结构和位于每个所述开口结构中的至少一个第二连接结构;
所述第一连接结构用于将所述图形结构与所述控制电路电连接;
所述第二连接结构用于将位于开口结构外部的图形结构和位于所述开口结构内部的图形结构电连接。
可选地,所述第二连接结构的长度大于或者等于所述开口结构的宽度。
可选地,所述控制电路包括并联连接的第一电源和第二电源;
所述第一电源用于向所述掩膜板通入正电压以使所述掩膜板静电吸附所述第一基板,所述第二电源用于向所述掩膜板通入负电压以使所述掩膜板释放所述第一基板;或者
所述第二电源用于向所述掩膜板通入负电压以使所述掩膜板静电吸附所述第一基板,所述第一电源用于向所述掩膜板通入正电压以使所述掩膜板释放所述第一基板。
可选地,所述第一电源的正电极和所述第二电源的负电极均与所述掩膜板连接,所述第一电源的负电极通过第一开关接地,所述第二电源的正电极通过第二开关接地;
所述第一电源具体用于当所述第一开关闭合且所述第二开关断开时向所述掩膜板通入正电压,所述第二电源具体用于当所述第二开关闭合且所述第一开关断开时向所述掩膜板通入负电压。
可选地,所述控制电路包括并联连接的第三电源和释放支路;
所述第三电源用于向所述掩膜板通入正电压以使所述掩膜板静电吸附所述第一基板,所述释放支路用于释放所述掩膜板上的正电荷以释放所述第一基板;或者
所述第三电源用于向所述掩膜板通入负电压以使所述掩膜板静电吸附所述第一基板,所述释放支路用于释放所述掩膜板上的负电荷以释放所述第一基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的