[发明专利]终点检测系统及其运行状态监测方法

说明书

本发明公开了一种终点检测系统及其运行状态监测方法，其中方法包括如下步骤：读取参照样本中的第一工艺信号曲线，并实时监测设置有终点检测系统的工艺机台进行工艺时的第二工艺信号曲线；比对第一工艺信号曲线和第二工艺信号曲线，判断终点检测系统运行状态；当终点检测系统运行状态正常时，控制工艺机台继续进行工艺；当终点检测系统运行状态异常时，控制工艺机台停止当前工艺。其通过实时监测到的第二工艺信号曲线与参照样本的第一工艺信号曲线进行对比，判断终点检测系统运行状态，有效解决了现有终点检测系统工作状态判断方法不能实时体现当前终点检测系统运行状态，导致对工艺机台状态的判断滞后或错误的问题，降低晶片工艺风险及废弃成本。

技术领域

本发明涉及自动控制领域，特别是涉及一种终点检测系统及其运行状态监测方法。

背景技术

在等离子体刻蚀工艺中，通常采用终点检测系统(End Point Detection，EPD)实现对等离子体的监控和工艺的终点确定。目前，终点检测系统中常用的测试方法包括发射光谱法(OES)和光干涉测量法(IEP)，该两种方法均利用光谱信号的强度、峰型的变化趋势计算抓取工艺的终点时间。

在集成电路工艺生产中，刻蚀工艺机台通常都会配备相应的终点检测系统，当刻蚀工艺机台处于自动运转状态时，如果其终点检测系统功能出现异常，且处理不及时时，刻蚀工艺机台如果继续处于工艺进行状态，就会导致终点判断错误，工艺结果异常，使得大量的晶片废弃，导致资源的浪费和生产成本的增加。

一般，在生产中，判断刻蚀工艺机台的终点检测系统功能是否处于正常状态通常是根据之前的晶片工艺结果是否有异常进行判断，若刻蚀工艺机台距离上次的晶片工艺有较长时间的搁置或刻蚀工艺机台存在维护操作，则会使得判断结果不够准确，不能实时体现当前终点检测系统运行状态，导致对刻蚀工艺机台的状态的判断滞后或错误。

发明内容

基于此，有必要针对现有刻蚀工艺机台的终点检测系统工作状态的判断方法不能实时体现当前终点检测系统运行状态，导致对刻蚀工艺机台的状态的判断滞后或错误的问题，提供一种终点检测系统及其运行状态监测方法。

为实现本发明目的提供的一种终点检测系统运行状态监测方法，包括如下步骤：

读取参照样本中的第一工艺信号曲线，并实时监测设置有终点检测系统的工艺机台进行工艺时的第二工艺信号曲线；

比对所述第一工艺信号曲线和所述第二工艺信号曲线，判断所述终点检测系统运行状态；

当所述终点检测系统运行状态正常时，控制所述工艺机台继续进行所述工艺；当所述终点检测系统运行异常时，控制所述工艺机台停止当前所述工艺。

其中，所述比对所述第一工艺信号曲线和所述第二工艺信号曲线，判断所述终点检测系统运行状态，包括如下步骤：

根据所述第一工艺信号曲线和所述第二工艺信号曲线，分别提取第一信号最大强度值和第二信号最大强度值；

根据：计算第一判定参数；

检测所述第一判定参数是否小于第一预设值；

当所述第一判定参数小于所述第一预设值时，控制所述终点检测系统正常运行；

当所述第一判定参数大于或等于所述第一预设值时，发出报警；

其中，所述第一信号最大强度值为所述第一工艺信号曲线中，表征所述工艺机台进行所述工艺启辉时的信号最大强度值；

所述第二信号最大强度值为所述第二工艺信号曲线中，表征所述工艺机台进行所述工艺启辉时的信号最大强度值；

所述第一预设值的取值范围为[0.5，1]。

其中，所述比对所述第一工艺信号曲线和所述第二工艺信号曲线，判断所述终点检测系统运行状态，包括如下步骤：