[发明专利]一种标准高频交变磁场的产生方法

权利要求书

1.一种标准高频交变磁场的产生方法，其特征在于，该方法包括：

将一长直导线置于磁屏蔽筒的中心轴线上；

将一高精度磁传感器置于所述磁屏蔽筒内与所述长直导线具有一定垂直距离的位置处，所述高精度磁传感器与所述磁屏蔽筒的口部的水平距离为所述磁屏蔽套筒长度的二分之一；

所述高精度磁传感器实时检测所述长直导线产生的磁信号，并将所述磁信号转换为电信号，作为负反馈量反馈给信号源；

计算高精度磁传感器与所述长直导线的垂直距离；

所述信号源为所述长直导线提供典型的周期信号；

由毕奥-萨伐尔定律计算得出激励磁场源的场强、方向和频率。

2.如权利要求1所述的一种标准高频交变磁场的产生方法，其特征在于，所述高精度磁传感器与所述长直导线的垂直距离小于所述磁屏蔽筒直径的0.1倍。

3.如权利要求2所述的一种标准高频交变磁场的产生方法，其特征在于，所述信号源提供的周期信号可以为电压源或电流源的扫频信号。

4.如权利要求3所述的一种标准高频交变磁场的产生方法，其特征在于，所述计算高精度磁传感器与所述长直导线的垂直距离包括：

所述信号源为所述长直导线提供已知的静态电流；

读出所述高精度磁传感器所在位置处的磁感应强度；

由毕奥-萨伐尔定律计算得出所述垂直距离。

5.如权利要求4所述的一种标准高频交变磁场的产生方法，其特征在于，还包括测量所述磁屏蔽筒的长度。

6.如权利要求5所述的一种标准高频交变磁场的产生方法，其特征在于，所述长直导线产生的磁场方向与所述高精度磁传感器的敏感轴向重合。

7.如权利要求1至6任一项所述的一种标准高频交变磁场的产生方法，其特征在于，所述磁屏蔽套筒为材料选用高磁导率的坡莫合金、镍铁合金等制作而成的圆柱面的套筒。

8.如权利要求7所述的一种标准高频交变磁场的产生方法，其特征在于，所述磁屏蔽筒长度为0.5米至1米。