[发明专利]一种标准高频交变磁场的产生方法

说明书

技术领域

本发明涉及磁场的产生方法，具体是一种用于为磁传感器进行动态标定的标准高频交变磁场的产生方法。

背景技术

传感器性能特性的研究，一般可从两个方面进行，即静态特性研究和动态特性研究。在高频磁场的探测领域中，磁传感器的频率特性决定了探测精度，而准确的确定磁传感器的带宽是关键问题，如何准确的标定磁传感器的动态特性急待解决。现有磁传感器标定主要集中在静态特性测试标定方面，而对其动态特性标定较少。究其原因是目前的标准磁场发生器是基于电流源和线圈组合方案，适于产生静态磁场或低频磁场。但该方案受线圈高频阻抗的影响，难于产生标准的高频交变磁场，无法满足磁传感器动态标定对高频磁场激励源的要求。

发明内容

为了解决现有技术中的标准磁场发生器是基于电流源和线圈组合方案，难于产生标准的高频交变磁场的技术问题，提供一种用于为磁传感器进行动态标定的标准高频交变磁场的产生方法。

为了对披露的实施例的一些方面有一个基本的理解，下面给出了简单的概括。该概括部分不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围。其唯一目的是用简单的形式呈现一些概念，以此作为后面的详细说明的序言。

一种标准高频交变磁场的产生方法，该方法包括：将一长直导线置于磁屏蔽筒的中心轴线上；将一高精度磁传感器置于所述磁屏蔽筒内与所述长直导线具有一定垂直距离的位置处，所述高精度磁传感器与所述磁屏蔽筒的口部的水平距离为所述磁屏蔽筒长度的二分之一；所述高精度磁传感器实时检测所述长直导线产生的磁信号，并将所述磁信号转换为电信号，作为负反馈量反馈给信号源；计算高精度磁传感器与所述长直导线的垂直距离；所述信号源为所述长直导线提供典型的周期信号；由毕奥-萨伐尔定律计算得出激励磁场源的场强、方向和频率。

优选的，所述高精度磁传感器与所述长直导线的垂直距离小于所述磁屏蔽筒直径的0.1倍。

其中，所述信号源提供的周期信号可以为电压源或电流源的扫频信号。

进一步的，所述计算高精度磁传感器与所述长直导线的垂直距离包括：所述信号源为所述长直导线提供已知的静态电流；读出所述高精度磁传感器所在位置处的磁感应强度；由毕奥-萨伐尔定律计算得出所述垂直距离。

再进一步的，还包括测量所述磁屏蔽筒的长度。

其中，所述长直导线产生的磁场方向与所述高精度磁传感器的敏感轴向重合。

优选的，所述磁屏蔽筒为材料选用高磁导率的坡莫合金、镍铁合金等制作而成的圆柱面的套筒。

优选的，所述磁屏蔽筒长度为0.5米至1米。

本发明所带来的有益效果：使用高磁导率的屏蔽筒屏蔽了外界地磁场、设备干扰磁场等，避免了通电螺线管无法产生高频磁场源信号的缺陷，同时，高精度磁传感器作为反馈探测，整个装置组成闭环系统，进一步提高了磁屏蔽筒内的磁场源精度和稳定度，结构简单。

为了上述以及相关的目的，一个或多个实施例包括后面将详细说明并在权利要求中特别指出的特征。下面的说明以及附图详细说明某些示例性方面，并且其指示的仅仅是各个实施例的原则可以利用的各种方式中的一些方式。其它的益处和新颖性特征将随着下面的详细说明结合附图考虑而变得明显，所公开的实施例是要包括所有这些方面以及它们的等同。

附图说明

图1是本发明一种标准高频交变磁场的产生方法的流程图；

图2是本发明一种标准高频交变磁场的产生方法的相关装置示意图；

图3是本发明本发明磁屏蔽筒内空间任意位置坐标系示意图；

图4是本发明当I＝1A、L＝0.5m、R＝0.2m时，理论上磁屏蔽筒的内部磁场分布图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。如图1至2所示，该方法包括：

101：将一长直导线固定在磁屏蔽套筒中央内部，尽可能在所述磁屏蔽筒的中心轴线上。以避免磁屏蔽筒内部聚磁效应，使测试点处所述长直导线产生的标准磁场源更精确。

102：将一高精度磁传感器置于所述磁屏蔽筒内，所述高精度磁传感器位于所述长直导线的上方或者下方，并且所述高精度磁传感器与所述长直导线具有一定垂直距离。所述高精度磁传感器与所述磁屏蔽筒的口部的水平距离为所述磁屏蔽筒长度的二分之一，因为在二分之一处的磁场是最标准的，如图4所示。