[发明专利]一种超高分辨率AMOLED显示器件在审
申请号: | 201410232365.7 | 申请日: | 2014-05-29 |
公开(公告)号: | CN104064583A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 何东阳 | 申请(专利权)人: | 何东阳 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201101 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 超高 分辨率 amoled 显示 器件 | ||
1.一种AMOLED显示器件,包括:单晶硅衬底基板,基于MOS器件的有源驱动像素电路和周边驱动电路,OLED发光器件及封装结构。
2.权利要求一所述的像素电路,其特征在于,像素电路驱动MOS管为PMOS管。
3.权利要求一所述的OLED发光器件,其特征在于,白光OLED加彩色滤光膜的方式形成彩色。
4.权利要求一所述的OLED发光器件,其特征在于,OLED发光器件为RGB三原色发光器件。
5.权利要求四所述的OLED发光器件,其特征在于,OLED发光器件为多个子像素共用一个OLED蒸镀图形。
6.权利要求五所述的OLED发光器件,其特征在于,三原色的OLED蒸镀图形呈三角形排列。
7.权利要求二所述的像素电路,其特征在于,器件表面的封装方式为薄膜封装或玻璃封装。
8.权利要求一所述的像素电路,其特征在于,其电路为2T1C。
9.权利要求一所述的周边驱动电路,其特征在于,包括栅驱动电路,数据驱动电路和时序处理电路。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的