[发明专利]一种超高分辨率AMOLED显示器件

说明书

技术领域

本发明提供了一种超高分辨率AMOLED显示器件。

背景技术

AMOLED显示技术因其高色度域，高响应速度，更轻薄等特点，目前正取代LCD技术而逐渐成为下一代显示技术领域有力的竞争者。

目前采用LTPS器件驱动的AMOLED显示技术已经量产。

OLED是电流器件，同样的显示信号，如果驱动晶体管的特性如阈值或迁移率等有差异，则在显示上会体现出来。

LTPS的ELA（准分子激光退火）工艺由于设备基台移动速度等的不均一性，退火后的多晶硅的特性随之出现不均一性，在显示的时候会出现不均一。

当前LTPS ELA不均问题的解决方法是在像素内做阈值电压补偿电路，以降低不均一性的程度。请参考图1。

当前的像素内做阈值电压补偿没有办法做到电流完全一致的效果。

单晶硅半导体器件特性一致性好，阀值电压稳定。

发明内容

本发明基于单晶硅衬底，由于单晶硅的TFT特性一致性好，阀值电压稳定，不需要复杂的补偿电路，因此能解决像素电路部份PPI的瓶颈。

通过多个子像素共用OLED图形或采用白光OLED加彩膜的方式，可以解决AMOLED蒸镀造成的分辨率的瓶颈。

附图说明：

附图1为当前主流的LTPS AMOLED 7T1C阈值电压补偿电路原理图。

附图2为本发明一实施例的器件结构图。

附图3为本发明一实施例的像素电路原理图。

附图4为本发明一实施例的子像素共用OLED蒸镀图形的示意图。

附图5为本发明一实施例的WOLED与彩膜方式的盖板玻璃封装方式的示意图。

具体实施方式

下面介绍的是本发明的多个实施例中的一部份，旨在提供对本发明的基本了解，并不旨在确认本发明的关键或决定性要素或限定所要保护的范围。根据本发明的技术方案，在不变更本发明的实质精神下，可以相互替换而得到其他的实现方式。在附图中，为了清楚起见，夸大了层与区域的厚度。也没有对图中所示的所有多个部件进行描述。附图中的多个部件为本领域普通技术人员能够实现的公开内容。实施例中的奇偶的定义旨在为了对显示内容的像素进行分类，奇偶的定义可相互调换。另外，方向性术语（如“上”，“下”，“横向”，“纵向”等）用来描述各种实施例表示附图中示出的方向，用于相对性的描述，而不是要将任何实施例的方向限定到具体的方向。如源漏极只是作为电极的区分，物理上是对称结构，可调换。

本发明的一实施例，请参考图2，在单晶硅衬底201上通过半导体工艺形成MOS管，包括源漏电极202，栅绝缘层203，栅极204。通过多次半导体沉积与刻蚀工艺形成多层导线205，206对MOS管各电极进行互连形成MOS管电路，金属层之间可形成像素显示状态存储电容212，在像素电路上方为OLED器件，其阳极207通过通孔连接到下方的MOS管电路，阳极金属可为Mo/ITO/Ag/ITO多层结构，阳极金属上有像素定义层PDL 208，通过曝光工艺进行图形化定义出像素发光区域。在PDL工艺后进行OLED器件209的蒸镀和阴极210的蒸镀。OLED器件上方为薄膜封装层211。像素电路可为2T1C结构，如图3。数据信号301在栅信号302到来时通过开关MOS管303写入存储电容304，存储的状态电压控制驱动MOS管306的电流大小，从而控制该像素OLED器件307电流的大小形成显示。子像素电路与周边像相同颜色子像素可共用OLED像素图形，如图4所示，像素401包括子像素R 402， G 403， B 404，子像素B 404与相邻像素408的子像素B 405共用一个RGB蒸镀图形B， 子像素G 403与像素409的G子像素407，像素410的子像素G 411， 像素412的子像素G 413共用一个G蒸镀图形。子像素R 402与G 403的共用方式类似，不再赘述。