[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板、依次位于所述衬底基板上的金属屏蔽层、缓冲层、顶栅型薄膜晶体管和公共电极；其中，所述顶栅型薄膜晶体管的源漏电极位于有源层的上方、且通过贯穿位于所述源漏电极与所述有源层之间的第一绝缘层的第一过孔与所述有源层电性连接，其特征在于，还包括：

与所述源漏电极同层设置的、用于电性连接所述金属屏蔽层与所述公共电极、且通过贯穿所述第一绝缘层和所述缓冲层的第二过孔与所述金属屏蔽层电性连接的第一连接部。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：位于所述源漏电极与所述公共电极之间的第二绝缘层；

所述公共电极通过贯穿所述第二绝缘层的第三过孔与所述第一连接部电性连接。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

位于所述公共电极上方的像素电极，位于所述像素电极与所述公共电极之间的第三绝缘层，以及与所述公共电极同层设置、且用于电性连接所述像素电极与所述源漏电极中的漏电极的第二连接部；其中，

所述第二连接部通过贯穿所述第二绝缘层的第四过孔与所述源漏电极中的漏电极电性连接；所述像素电极通过贯穿所述第三绝缘层的第五过孔与所述第二连接部电性连接。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

位于所述源漏电极与所述公共电极之间且与所述公共电极相互绝缘的像素电极，以及位于所述像素电极与所述源漏电极之间的第二绝缘层；

所述像素电极通过贯穿所述第二绝缘层的第六过孔与所述源漏电极中的漏电极电性连接。

5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

位于所述像素电极与所述公共电极之间的第三绝缘层，以及与所述像素电极同层设置、用于电性连接所述公共电极与所述第一连接部的第三连接部；其中，

所述第三连接部通过贯穿所述第二绝缘层的第七过孔与所述第一连接部电性连接；所述公共电极通过贯穿所述第三绝缘层的第八过孔与所述第三连接部电性连接。

6.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。

7.一种阵列基板的制作方法，包括在衬底基板上依次形成金属屏蔽层、缓冲层、顶栅型薄膜晶体管和公共电极的图形；其中，所述顶栅型薄膜晶体管的源漏电极位于有源层的上方、且通过贯穿位于所述源漏电极与所述有源层之间的第一绝缘层的第一过孔与所述有源层电性连接，其特征在于，还包括：

在形成贯穿所述第一绝缘层的所述第一过孔的同时，采用半色调掩模板或灰色调掩模板形成贯穿所述第一绝缘层和所述缓冲层的第二过孔；

在形成所述源漏电极的图形的同时，通过一次构图工艺形成用于电性连接所述金属屏蔽层与所述公共电极、且通过所述第二过孔与所述金属屏蔽层电性连接的第一连接部的图形。

8.如权利要求7所述的制作方法，其特征在于，在形成源漏电极的图形之后，在形成公共电极的图形之前，还包括：

在所述源漏电极与将要形成的所述公共电极之间形成第二绝缘层的薄膜；

通过构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的薄膜的第三过孔，所述公共电极通过所述第三过孔与所述第一连接部电性连接。

9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，还包括：

在形成所述第三过孔的同时，通过一次构图工艺形成贯穿所述第二绝缘层的第四过孔；

在形成所述公共电极的图形的同时，通过一次构图工艺形成用于电性连接将要形成的像素电极与所述源漏电极中的漏电极的第二连接部的图形，所述第二连接通过所述第四过孔与所述漏电极电性连接；

在形成所述公共电极的图形之后，还包括：

在所述公共电极上形成第三绝缘层的薄膜；

通过构图工艺形成贯穿所述第三绝缘层的薄膜的第五过孔；

在所述第三绝缘层上形成像素电极的图形，所述像素电极通过所述第五过孔与所述第二连接部电性连接。