[发明专利]ROM存储单元、存储阵列、存储器及读取方法有效
| 申请号： | 201410234148.1 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN105336372B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 王林 | 申请（专利权）人： | 展讯通信(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/12 | 分类号： | G11C17/12 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | rom 存储 单元 阵列 存储器 读取 方法 | ||
1.一种ROM存储阵列，其特征在于，包括第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元及第四存储单元，所述存储单元按照行和列排布；其中，同行的存储单元共用一条字线，同列的存储单元共用一条位线；
所述第一存储单元至少包括第一PMOS晶体管；所述第一PMOS晶体管为CG-FinFET晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极连接至第一字线，漏极连接至第一位线，源极连接至对电源电压；
所述第二存储单元包括第二PMOS晶体管；所述第二PMOS晶体管为IG-FinFET晶体管，所述第二PMOS晶体管的第一栅极和第二栅极连接至第二字线，源极连接至对电源电压，漏极连接至第二位线；
所述第三存储单元至少包括第三PMOS晶体管；所述第三PMOS晶体管为IG-FinFET晶体管；所述第三PMOS晶体管的第一栅极连接第三字线，漏极连接至第三位线，所述第三PMOS晶体管的第二栅极和源极连接至电源电压；
所述第四存储单元至少包括第四PMOS晶体管；所述第四PMOS晶体管为CG-FinFET晶体管或IG-FinFET晶体管；所述第四PMOS晶体管为CG-FinFET晶体管时，所述第四PMOS晶体管的栅极和源极连接至电源电压，漏极连接至第四位线；所述第四PMOS晶体管为IG-FinFET晶体管时，第四PMOS晶体管的第一栅极、第二栅极和源极连接至对电源电压，漏极连接至第四位线；
所述第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管及第四PMOS晶体管的尺寸相同。
2.如权利要求1所述的ROM存储阵列，其特征在于，所述第一存储单元的存储信息为“00”，所述第二存储单元的存储信息为“01”，所述第三存储单元的存储信息为“10”，所述第四存储单元的存储信息为“11”。
3.一种ROM存储器，其特征在于，包括：权利要求1或2所述的存储阵列。
4.一种对如权利要求 1或2所述ROM存储阵列的读取方法，其特征在于，包括：
施加低电平至字线，以打开所述字线；
通过对应存储单元的位线读取对应存储单元的存储信息。
5.如权利要求4所述的读取方法，其特征在于，所述第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元及第四存储单元的存储信息是通过读取其位线电流/电压并相互比较其位线电流值/电压变化速率得到的。
6.如权利要求4所述的读取方法，其特征在于，所述通过对应存储单元的位线读取对应存储单元的存储信息包括：同时读取所述第一存储单元、第二存储单元、第三存储单元及第四存储单元的位线电流/电压。
7.如权利要求5所述的读取方法，其特征在于，对应所述存储单元的位线电流值/电压变化速率，一次可读取到两比特的存储信息。
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