[发明专利]电器件、其制造方法和放射线检查装置有效
申请号: | 201410235013.7 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN104241303B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 竹田慎市;井上正人;泽田觉;石井孝昌;武井大希;西部航太 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;A61B6/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 罗银燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 制造 方法 放射线 检查 装置 | ||
技术领域
本发明涉及电器件、其制造方法和放射线检查装置。
背景技术
在通过在基板上安装电子组件所形成的电器件中,沿基板的外周形成导电性的保护环(guard ring)。电器件的基板包含用于连接该电器件与外部装置的连接部分(例如,柔性(flexible)印刷板)。该连接部分必须以使得基板上的保护环与连接部分不短路的方式被附接于电器件的基板。
日本专利公开No.2000-66241已公开了包含被覆盖有绝缘部件的保护环的液晶面板基板,并且公开了在绝缘部件上形成用于连接液晶面板基板与外部装置的连接部分的结构。日本专利公开No.2009-181095已公开了这样的结构:为了防止在附接连接部分时对覆盖保护环的绝缘部件的损伤,在形成电极的电极区域的附近,在电极区域内侧的区域中形成保护环。
在日本专利公开No.2000-66241中公开的结构中,保护环被覆盖有绝缘部件,但是,当连接部分被附接于基板时,绝缘部件可能被损伤。并且,在日本专利公开No.2009-181095中公开的结构不易于制造,因为必须根据电极区域的位置来形成保护环。
发明内容
本发明提供被配置为不使基板上的保护环与连接部分短路并在制造方面有利的电器件。
本发明的第一方面提供一种电器件,该电器件包含:导电性保护环,沿基板的外周形成于基板上;电极,在基板上形成于保护环内侧;以及连接部分,形成于电极之上,用于连接外部装置与电极,其中,连接部分包含用于电连接外部装置与电极的导电性部件、以及形成于导电性部件的下表面上的绝缘部件,以及绝缘部件露出导电性部件的位于电极正上方(immediately above)的部分,并且绝缘部件的端部在平面图中位于保护环内侧,使得导电性部件与保护环不相互接触。
本发明的第二方面提供一种电器件的制造方法,所述电器件包含沿基板的外周形成于基板上的导电性保护环和在基板上形成于保护环内侧的电极,所述方法包括:通过在导电性部件的下表面上形成绝缘部件使得导电性部件的一部分被露出,来形成用于连接外部装置与电极的连接部分;以及将连接部分附接于基板,其中,在将连接部分附接于基板时,连接部分附接于基板以使得导电性部件的露出部分与电极被电连接,并且由于绝缘部件的端部在平面图中位于保护环内侧,因此导电性部件和保护环不相互接触。
从参照附图对示例性实施例的以下描述,本发明的进一步的特征将变得明显。
附图说明
图1A至1D是用于解释第一实施例的放射线成像装置的配置例子的示图;
图2A至2D是用于解释第二实施例的放射线成像装置的配置例子的示图;
图3A和3B是用于解释对大传感器面板的应用例的示图;以及
图4是用于解释对放射线成像系统的应用例的示图。
具体实施方式
在以下的各实施例中,将通过以放射线成像装置作为电器件的典型例子来描述本发明。放射线成像装置可包括其中在基板上布置用于检测放射线的多个传感器的传感器面板。传感器面板例如可采取所谓的间接转换型布置,所述间接转换型布置包含用于将放射线转换成光的闪烁体和用于检测光的光电转换元件。注意,可通过使用例如通过在CsI中掺杂Tl所获得的部件或通过在GdOS中掺杂Tb所获得的部件来形成闪烁体,并且可通过使用例如非晶硅来形成光电转换元件。传感器面板也可采取所谓的直接转换型布置,在直接转换型布置中光电转换元件直接将放射线转换成电信号。可通过使用例如非晶硒来形成该光电转换元件。
(第一实施例)
将参照图1A至1D解释根据第一实施例的放射线成像装置10(以下将称为“装置10”)。图1A至1D示意性示出装置10的配置例。图1A是装置10的总体布置的平面图。图1B示出沿图1A所示的切线A-A′获取的截面结构。图1C示出沿图1A所示的切线B-B′获取的截面结构。图1D是图1A所示的区域C的放大图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的