[发明专利]激光照射装置有效
申请号: | 201410236015.8 | 申请日: | 2014-05-29 |
公开(公告)号: | CN104347369B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 金俊亨;李惠淑;金成坤;丁一荣;韩圭完;柳济吉;赵庚石 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 | ||
1.一种激光照射装置,包括:
激光束生成器,配置为生成激光束;
狭缝单元,配置为选择性地使所述激光束透过;
镜单元,配置为改变选择性透过的所述激光束的第一部分的路径,以将选择性透过的所述激光束的所述第一部分照射到处理目标上,并使所述激光束的第二部分和第三部分透过;
第一光学系统,选择性透过的所述激光束的第二部分穿过所述镜单元并被投射到所述第一光学系统;
第二光学系统,选择性透过的所述激光束的所述第三部分穿过所述镜单元并被投射到所述第二光学系统;以及
分束器,配置为分开穿过所述镜单元的选择性透过的所述激光束的所述第二部分和所述第三部分,使得所述第二部分被投射到所述第一光学系统并且所述第三部分被投射到所述第二光学系统。
2.如权利要求1所述的激光照射装置,其中,
所述第一光学系统具有第一焦距,所述第二光学系统具有第二焦距。
3.如权利要求2所述的激光照射装置,其中,
所述第一焦距配置为使得选择性透过的所述激光束的所述第二部分被投射到所述第一光学系统,
所述第二焦距配置为使得选择性透过的所述激光束的所述第三部分被投射到所述第二光学系统。
4.如权利要求1所述的激光照射装置,还包括:
第一监视单元,联接至所述第一光学系统,并配置为获取选择性透过的所述激光束的所述第二部分的图像;以及
第二监视单元,联接至所述第二光学系统,并配置为获取选择性透过的所述激光束的所述第三部分的图像。
5.如权利要求1所述的激光照射装置,其中所述第一光学系统和所述第二光学系统中的每个均包括选自凹透镜、凸透镜和柱状透镜的至少一个透镜,所述至少一个透镜由熔融二氧化硅形成。
6.如权利要求1所述的激光照射装置,还包括:
第一聚焦控制器,设置在所述第一光学系统的前侧,并配置为控制所述第一光学系统中的所述激光束的焦距;
第二聚焦控制器,设置在所述第二光学系统的前侧,并配置为控制所述第二光学系统中的所述激光束的焦距;以及
第三聚焦控制器,设置在所述分束器的前侧,并配置为控制所述分束器处的所述激光束的焦距。
7.如权利要求6所述的激光照射装置,其中所述第一聚焦控制器、所述第二聚焦控制器和所述第三聚焦控制器中的每个均包括多个透镜。
8.如权利要求1所述的激光照射装置,还包括分析单元,所述分析单元配置为分析分别投射到所述第一光学系统和所述第二光学系统的选择性透过的所述激光束的所述第二部分和所述第三部分的图像。
9.如权利要求8所述的激光照射装置,还包括控制器,所述控制器配置为基于通过所述分析单元分析的图像控制所述激光束生成器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造