[发明专利]激光照射装置有效
申请号: | 201410236015.8 | 申请日: | 2014-05-29 |
公开(公告)号: | CN104347369B | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 金俊亨;李惠淑;金成坤;丁一荣;韩圭完;柳济吉;赵庚石 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 照射 装置 | ||
提供了激光照射装置。该激光照射装置包括:激光束生成器,配置为生成激光束;狭缝单元,配置为选择性地透过激光束;镜单元,配置为改变选择性透过的激光束的第二部分的路径,以将选择性透过的激光束的第二部分照射到处理目标上;第一光学系统,选择性透过的激光束的第一部分穿过镜单元并被投射到第一光学系统;以及第二光学系统,选择性透过的激光束的第二部分穿过镜单元并被投射到第二光学系统。
技术领域
本公开涉及激光照射装置。
背景技术
薄膜晶体管被广泛用作液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器的开关设备。
薄膜晶体管典型地包括由半导体材料形成的沟道。半导体材料可包括硅。硅可一般根据其晶化状态被分类成非晶硅和晶态硅。下面将简要描述非晶硅和晶态硅的特性。
非晶硅的优点是可在较低温度下被沉积成薄膜。然而,非晶硅不具有规则的原子排列并且其晶粒尺寸不能增加。因此,非晶硅具有较差的电特性。
不同于非晶硅,晶态硅的晶粒尺寸可增加,这导致提高的导电性。因此,相对于非晶硅的电特性,晶态硅的电特性可被提高。例如,晶态硅中的电流可比非晶硅提高不止100倍。
如上所述,薄膜晶体管通常包括由半导体材料形成的沟道。可对半导体材料执行热处理,以修改半导体材料的电特性和物理特性。例如,包括非晶硅的半导体材料可使用热处理晶化为多晶硅。
LCD或OLED显示设备通常包括绝缘基底。绝缘基底可由具有低熔点的材料(例如,玻璃)形成。在制造显示设备的过程中,非晶硅薄膜被沉积到绝缘基底上。非晶硅薄膜随后使用例如热处理被改变成晶态硅薄膜。
热处理可包括将高能量激光束(例如,准分子激光)朝向非晶硅薄膜。激光束可从光源生成。激光束可穿过狭缝单元。激光束的穿过狭缝单元的部分可被镜单元反射。反射的激光束可被照射到基底的设置有非晶硅薄膜的部分。
在一些示例中,可提供用于检测激光束的分析器。具体地,分析器可监视照射到基底上的激光束的状态。传统的分析器可在激光照射过程完成之后或在激光照射过程中间歇地确定激光束的状态
然而,传统的分析器一般不能实时确定和分析激光束的状态。因此,传统的分析器可能不能精确地确定过程缺陷或偏离出现的精确点。
发明内容
本公开针对解决至少上述关于实时监视激光照射装置中的激光束的状态的问题。
根据本发明构思的一些实施方式,提供了激光照射装置。该激光照射装置包括激光束生成器、狭缝单元、以及镜单元,其中激光束生成器配置为生成激光束;狭缝单元配置为选择性地透过激光束;以及镜单元配置为改变选择性透过的激光束的第二部分的路径,以将选择性透过的激光束的第二部分照射到处理目标。该激光照射装置还包括第一光学系统、以及第二光学系统,其中选择性透过的激光束的第一部分穿过镜单元并被投射到第一光学系统;选择性透过的激光束的第二部分穿过镜单元并被投射到第二光学系统。
在一些实施方式中,第一光学系统可具有第一焦距,第二光学系统可具有第二焦距。
在一些实施方式中,第一焦距可配置为选择性透过的激光束的第一部分被投射到第一光学系统,第二焦距可配置为使得照射到处理目标上并从处理目标反射的选择性透过的激光束的第二部分被投射到第二光学系统。
在一些实施方式中,激光照射装置还可包括第一监视单元和第二监视单元,其中第一监视单元联接至第一光学系统,并配置为获取选择性透过的激光束的第一部分的图像;以及第二监视单元联接至第二光学系统,并被配置为获取选择性透过的激光束的第二部分的图像。
在一些实施方式中,所述第一光学系统和所述第二光学系统中的每个均可包括选自凹透镜、凸透镜和柱状透镜的至少一个透镜。
在一些实施方式中,至少一个透镜可由熔融二氧化硅形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造