[发明专利]有机发光显示设备有效
申请号: | 201410238986.6 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN104218064B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 柳春基;朴鲜;李律圭 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 | ||
1.一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:
薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层;
焊盘电极,包括第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层,第一焊盘层与源电极和漏电极在同一层上;
第三绝缘层,覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部;
像素电极,包括位于第三绝缘层中的开口中的半透射导电层;
保护层,位于像素电极和第一绝缘层之间;
第四绝缘层,在与形成在第三绝缘层中的开口相对应的位置中具有开口,第四绝缘层覆盖像素电极的端部;
发射层,位于像素电极上;以及
相对电极,位于发射层上。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,保护层包括与第二焊盘层的材料相同的材料。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,第二焊盘层包括透明导电氧化物。
4.如权利要求3所述的有机发光显示设备,其中,透明导电氧化物包括从由氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌组成的组中选择的一种或更多种。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,保护层的厚度在至的范围内。
6.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,源电极和漏电极具有电子迁移率不同的多个异质导电层的堆叠结构。
7.如权利要求6所述的有机发光显示设备,其中,源电极和漏电极包括包含钼的层和包含铝的层。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,源电极和漏电极包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层。
9.如权利要求1所述的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备还包括:电容器,包括第一电极和第二电极,第一电极与有源层在同一层上,第二电极与栅电极在同一层上。
10.如权利要求9所述的有机发光显示设备,其中,电容器的第一电极包括利用离子杂质掺杂的半导体材料。
11.如权利要求9所述的有机发光显示设备,其中,电容器的第二电极包括透明导电氧化物。
12.如权利要求9所述的有机发光显示设备,其中,电容器还包括第三电极,第三电极与源电极和漏电极在同一层上。
13.如权利要求9所述的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备还包括:像素电极接触单元,通过形成在第三绝缘层中的接触孔电结合在像素电极与源电极和漏电极中的一个之间,
其中,像素电极接触单元包括:
第一接触层,包括与源电极和漏电极的材料相同的材料;
第二接触层,包括与第二焊盘层的材料相同的材料;以及
第三接触层,位于第一绝缘层和第二绝缘层中并包括与电容器的第二电极的材料相同的材料,
其中,第一接触层通过形成在第二绝缘层中的接触孔电结合到第三接触层。
14.如权利要求13所述的有机发光显示设备,其中,像素电极接触单元还包括位于第一绝缘层和第三绝缘层之间并包括与栅电极的材料相同的材料的第四接触层。
15.如权利要求1所述的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备还包括:电容器,包括第一电极和第二电极,第一电极与栅电极在同一层上,第二电极与源电极和漏电极在同一层上。
16.如权利要求15所述的有机发光显示设备,其中,电容器的第一电极包括与栅电极的材料相同的材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的