[发明专利]有机发光显示设备有效
申请号: | 201410238986.6 | 申请日: | 2014-05-30 |
公开(公告)号: | CN104218064B | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 柳春基;朴鲜;李律圭 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 王占杰;韩芳 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 | ||
提供了一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层;焊盘电极,包括与源电极和漏电极位于同一层上的第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层;第三绝缘层,覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部;像素电极,包括位于第三绝缘层中的开口中的半透射导电层;保护层,位于像素电极和第一绝缘层之间;第四绝缘层,在与形成在第三绝缘层中的开口相对应的位置中具有开口,第四绝缘层覆盖焊盘电极的端部;发射层,位于像素电极上;以及相对电极,位于发射层上。
本申请要求于2013年5月30日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0062114号韩国专利申请和于2014年5月13日在韩国专利产权局提交的第10-2014-0057451号韩国专利申请的优先权和权益,上述韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的实施例涉及一种有机发光显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法。
背景技术
有机发光二级管(OLED)显示设备通常包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极和电子注入电极之间的有机发光层。OLED显示设备是当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发光层中复合至其后逐渐消失的激发态来发光。
与其他类型的显示装置相比,由于其诸如功耗相对低、亮度相对高以及响应速度相对快的高质量特性,OLED显示设备作为下一代显示器而备受关注。
发明内容
本发明的实施例提供了一种具有优异的显示质量的有机发光显示设备和一种制造该有机发光显示设备的方法。
根据本发明的一方面,提供了一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:薄膜晶体管,包括有源层、栅电极、源电极、漏电极、位于有源层和栅电极之间的第一绝缘层以及位于栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘层;焊盘电极,包括与源电极和漏电极位于同一层上的第一焊盘层和位于第一焊盘层上的第二焊盘层;第三绝缘层,覆盖源电极和漏电极以及焊盘电极的端部;像素电极,包括位于第三绝缘层中的开口中的半透射导电层;保护层,位于像素电极和第一绝缘层之间;第四绝缘层,在与形成在第三绝缘层中的开口相对应的位置中具有开口,第四绝缘层覆盖焊盘电极的端部;发射层,位于像素电极上;以及相对电极,位于发射层上。
保护层可以包括与第二焊盘层的材料相同的材料。
第二焊盘层可以包括透明导电氧化物。
透明导电氧化物可以包括从由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)组成的组中选择的一种或更多种。
保护层的厚度可以在至的范围内。
源电极和栅电极可以具有电子迁移率不同的多个异质导电层的堆叠结构。
源电极和漏电极可以包括包含钼的层和包含铝的层。
源电极和漏电极可以包括第一金属层和位于第一金属层上的第二金属层。
所述有机发光显示设备还可以包括:电容器,包括与有源层位于同一层上的第一电极和与栅电极位于同一层上的第二电极。
电容器的第一电极可以包括利用离子杂质掺杂的半导体材料。
电容器的第二电极可以包括透明导电氧化物。
电容器还可以包括与源电极和漏电极位于同一层上的第三电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的