[发明专利]用于制造半导体部件的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体部件的方法，所述半导体部件包括具有单元结构的晶体管，所述单元结构具有单片集成在半导体本体中并且并联地电连接的多个晶体管单元，所述方法包括：

提供具有顶侧以及与所述顶侧相对的底侧的半导体本体；

制造多个第一沟槽，所述第一沟槽从所述顶侧延伸至所述半导体本体中；

制造多个第二沟槽，每个所述第二沟槽从所述顶侧比每个所述第一沟槽更深地延伸至所述半导体本体中；

在每个所述第一沟槽的表面上制造第一沟槽隔离层，所述第一沟槽隔离层邻接于所述半导体本体的第一部分上；

在每个所述第二沟槽的表面上制造第二沟槽隔离层；

在每个所述第一沟槽中制造栅极电极；以及

在制造所述栅极电极之后，通过去除所述半导体本体的底层使所述半导体本体的第二部分与所述半导体本体的所述第一部分电绝缘。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，将要去除的所述底层的厚度至少为在所述底侧和所述第二沟槽隔离层之间的距离。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，每个所述第二沟槽的宽度大于每个所述第一沟槽的宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在共同的蚀刻步骤中同时制造所述第一沟槽和所述第二沟槽。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在所述顶侧上制造栅极连接线，所述栅极连接线与所述半导体本体的所述第一部分电绝缘并电互连所述栅极电极。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述栅极连接线包括至少以下之一：

掺杂有电活性掺杂剂的多晶半导体材料；

掺杂有电活性掺杂剂并且经硅化的多晶半导体材料；以及

金属。

7.根据权利要求5所述的方法，其中，所述栅极连接线电连接至所述半导体本体的所述第二部分。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在所述底侧上制造栅极接触端子，所述栅极接触端子电连接至所述半导体本体的所述第二部分，从而使所述栅极接触端子经由所述半导体本体的所述第二部分和所述栅极连接线电连接至所述栅极电极。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

在每个所述第一沟槽中制造所述栅极电极包括：在共同的沉积步骤中，在所述第一沟槽和所述第二沟槽两者中都沉积导电材料；

执行去除所述半导体本体的所述底层，从而在所述底侧处暴露所述导电材料。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，每个所述第二沟槽与所述第一沟槽之一融合。

11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述导电材料包括掺杂有电活性掺杂剂的或者未掺杂的多晶半导体材料。

12.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在所述底侧上制造栅极接触端子，所述栅极接触端子电连接至所述导电材料。

13.根据权利要求11所述的方法，进一步包括：在所述底侧上制造栅极接触端子，所述栅极接触端子在所述导电材料被暴露的位置处直接接触所述导电材料。

14.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述底侧上提供第一接触端子；并且

在所述顶侧上提供第二接触端子。

15.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：在去除所述半导体本体的底层之前在所述顶侧上提供第二接触端子。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述第一接触端子为漏极接触端子并且所述第二接触端子为源极接触端子。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，在去除所述半导体本体的所述底层之前执行在所述顶侧上提供所述第二接触端子。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，通过化学机械抛光来执行去除所述半导体本体的所述底层。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，在每个所述第一沟槽中，将所述第一沟槽隔离层布置在相应的所述第一沟槽的侧壁处和底部处。

20.根据权利要求1所述的方法，其中，在每个所述第一沟槽中氧化所述半导体本体的表层，以用于在每个所述第一沟槽的表面处制造所述第一沟槽隔离层。