[发明专利]用于制造半导体部件的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及一种用于制造半导体部件的方法。

背景技术

晶体管，比如MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)或IGBT(绝缘栅双极型晶体管)之类的IGFET(绝缘栅场效应晶体管)，采用半导体本体制成。对于许多的这类晶体管而言，期望电连接被布置在半导体本体的相对侧处或相对侧上的结构。

例如，n沟道MOSFET具有带源极区和漏极区的半导体本体、栅极电极、源极接触端子、漏极接触端子和栅极接触端子。在这点上，要注意，从本申请的意义上讲，“接触端子”为允许电接触所得的半导体部件的端子。换言之，“接触端子”是从所得的半导体部件的外部可访问的。进一步地，“栅极电极”被认为是直接邻接于栅极电介质上的电极。源极接触端子电连接到源极区，漏极接触端子电连接到漏极区，栅极接触端子电连接到栅极电极。由于竖直MOSFET的构造，所以栅极电极和源极区布置在半导体本体的同一侧，而漏极区布置在半导体本体的相对侧处。

由于MOSFET的废热(waste-heat)产生的pn结相较于漏极区在更接近源极区之处，所以从源极区所在半导体本体的一侧来冷却MOSFET是有益的。然而，在这类关于冷却半导体部件的概念中，如果栅极接触端子布置在半导体本体的与源极区相同的一侧，那么电连接栅极接触端子就较为困难。因此，期望将栅极接触端子布置在半导体本体的与布置源极区的一侧相对的一侧。然而，由于栅极电极布置在半导体本体的与源极区相同的一侧，所以在栅极电极和栅极接触端子之间需要电连接，即，布置在半导体本体的相对侧处或相对侧上的结构之间需要电连接。

由于通常来说在布置在半导体本体的相对侧处或相对侧上的结构之间进行电连接是复杂且昂贵的，所以需要一种简单的方法来制造具有用于连接布置在半导体部件的半导体本体的相对侧处或相对侧上的结构的电连接线的半导体部件。

发明内容

本发明的一个方面涉及用于制造半导体部件的方法，该半导体部件包括具有单元结构的晶体管，该单元结构具有单片集成在半导体本体中并且并联地电连接的多个晶体管单元。在该方法的一个示例中，提供了具有顶侧以及与该顶侧相对的底侧的半导体本体。制造多个第一沟槽，该第一沟槽从顶侧延伸至半导体本体中。并且制造多个第二沟槽，每个第二沟槽从顶侧比每个第一沟槽更深地延伸至半导体本体中。随后，在每个第一沟槽的表面上制造第一电介质，第一电介质邻接于半导体本体的第一部分上。并且在每个第二沟槽的表面上制造第二电介质。在每个第一沟槽中制造栅极电极。在制造栅极电极之后，通过去除半导体本体的底层使半导体本体的第二部分与半导体本体的第一部分电绝缘。

附图说明

下面将参照附图对示例进行解释。该附图未按比例绘制。在附图中，相同的附图标记表示相似的特征。

图1为半导体部件截面的竖直截面图，该半导体部件具有电连接布置在半导体部件的半导体本体的相对侧处或相对侧上的结构的连接线。

图2A至图2G图示了在制造图1中的半导体部件期间的多个步骤。

图3A为另一半导体部件截面的竖直截面图，该另一半导体部件具有电连接布置在半导体部件的半导体本体的相对侧处或相对侧上的结构的连接线。

图3B为图3A中的半导体部件的另一竖直截面图。

图3C为图3A和图3B中的半导体部件的水平截面图；

图4A至图4H、图4J至图4N以及图4P至图4R图示了在制造图3A和图3B中的半导体部件期间的多个步骤。

图5至图7图示了半导体部件的另外的示例，其中，半导体本体的各个部分通过宽沟槽彼此分离且电绝缘。

图8图示了用于制造半导体部件的方法，该半导体部件具有电连接布置在半导体部件的半导体本体的相对侧处或相对侧上的结构的连接线。

具体实施方式

在下文的详细说明中对附图进行参考，该附图构成该说明书的一部分，在该附图中以说明的方式示出了可实施本发明的具体实施例。在这点上，将参照此处所描述的附图的定位来使用定向术语，诸如“顶”、“底”、“前”、“后”、“前部”、“尾部”等。因为实施例的部件可定位在多个不同的方位，所以定向术语的使用出于图示之目的，而绝非限制性的。应理解，也可使用其他实施例，而且在不脱离本发明的范围的情况下可做出结构上或逻辑上的改变。因此，以下的详细说明不应被视为具有限制性意义，并且本发明的范围由所附权利要求书限定。应理解，除非另有明确说明，否则本文所描述的各种示例性实施例的特征可彼此结合。