[发明专利]多发热单元的晶体生长装置及方法

权利要求书

1.一种多发热单元的晶体生长装置及方法，其特征是：采用下降法在真空条件下生长氟化物晶体，晶体生长装置的发热区是由三个独立的发热单元构成的，每个发热单元包括热电偶、单相功率调节器、单相变压器、温度控制器等组件；这三组发热单元同时工作，独立控温，共同构成晶体生长炉内的发热区；通过对这三组发热单元温度分别设定，可在晶体熔体内建立沿着坩埚轴向向上的温度梯度；该装置的冷区由位于电极内侧的石墨保温筒和位于电极外侧的保温材料构成。

2.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征是：采用下降法在真空条件下生长氟化物晶体，晶体生长装置的发热区是由三个独立的发热单元构成的。

3.根据权利要求1或者2所述的晶体生长装置，其特征是：构成晶体生长装置发热区的独立发热单元包括热电偶、单相功率调节器、单相变压器、温度控制器等。

4.根据权利要求1或者2或者3所述的晶体生长装置及方法，其特征是：三组独立的发热单元同时工作，独立控制温度，通过分别对3组发热体温度控制，形成具有轴向向上温度梯度的温场，该温场适合晶体生长。

5.根据权利要求1或者2或者3或者4所述的晶体生长装置及方法，其特征是：三个独立发热单元的温度控制，分别由各自的热电偶和独立的温度控制仪表来完成。

6.根据权利要求1或者2或者3或者4或者5所述的晶体生长装置及方法，其特征是：三个独立的发热单元，分别由单相变压器供电，每个发热单元的功率控制采用单相功率调节器与温控仪表来实现。

7.根据权利要求1所述的晶体生长装置，其特征是：冷区由位于电极内侧的石墨保温筒和位于电极外侧的保温材料构成。