[发明专利]沟槽隔离结构的制造方法在审
| 申请号： | 201410241482.X | 申请日： | 2014-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105185737A | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 荆二荣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制造 方法 | ||
1.一种沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供形成有沟槽结构的硅片衬底；
在硅片衬底上淀积多晶硅作为外延的种子层；
外延生长多晶硅以填充所述沟槽；
去除所述硅片衬底表面多余的多晶硅。
2.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述在硅片衬底上淀积多晶硅作为外延的种子层的步骤之前，还包括在所述沟槽的表面形成绝缘层的步骤。
3.根据权利要求2所述的沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述在沟槽的表面形成绝缘层的步骤，是在沟槽表面淀积二氧化硅作为绝缘层。
4.根据权利要求3所述的沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述绝缘层的厚度为100纳米～2000纳米。
5.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述种子层的厚度为50纳米～1000纳米。
6.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述外延生长多晶硅以填充所述沟槽的步骤中，采用三氯氢硅、四氯化硅、硅烷和二氯硅烷中的至少一种作为外延气体。
7.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述外延生长多晶硅以填充所述沟槽的步骤中，采用硼烷或者磷烷作为掺杂气体。
8.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述外延生长多晶硅以填充所述沟槽的步骤中，生长温度为900摄氏度～1200摄氏度。
9.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，采用硅刻蚀技术或化学机械抛光技术去除所述硅片衬底表面多余的多晶硅。
10.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，所述多晶硅的淀积采用低压化学气相淀积法。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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