[发明专利]一种阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，包括第一金属层（2）、位于源漏极绝缘层上的JAS层（3）和ITO电极层（4），在阵列制程中由第一金属层（2）形成数据线端子和扫描线端子，其特征在于：在数据线端子和扫描线端子的刻孔部位的上方设有位于栅极绝缘层（7）和源漏极绝缘层之间的刻孔阻挡层（5），以使得ITO电极层（4）图形化时位于JAS层（3）边缘的ITO电极层（4）产生的残留存在于刻孔阻挡层（5）之上。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述的刻孔阻挡层（5）和第一金属层（2）之间具有栅极绝缘层（7）。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：所述的刻孔阻挡层（5）为第二金属层或半导体有源层。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：所述的刻孔阻挡层（5）覆盖在数据线端子和扫描线端子的刻孔部位的上方。

5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：所述的刻孔阻挡层（5）为连续型图案或者间断型图案。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：连续型图案的刻孔阻挡层（5）的宽度不小于数据线端子和扫描线端子的宽度。

7.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：间断型图案的刻孔阻挡层（5）的宽度不小于任一个数据线端子和扫描线端子的宽度。

8.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于：所述的刻孔阻挡层（5）与数据线端子和扫描线端子的刻孔部位的孔边缘相交。

9.一种阵列基板的制造方法，其特征在于：该制造方法包括步骤如下：

（a）、在衬底基板（1）上形成第一金属层（2），由第一金属层（2）形成扫描线、栅极、以及数据线端子、扫描线端子；

（b）、在第一金属层（2）上沉积栅极绝缘层（7）；

（c）、在栅极绝缘层（7）上沉积半导体有源层；

（d）、在半导体有源层上形成第二金属层，通过第二金属层形成数据线、源漏极，且半导体有源层或者第二金属层覆盖在数据线端子和扫描线端子的刻孔部位的上方形成刻孔阻挡层（5）；

（e）在第二金属层上形成源漏极绝缘层；

（f）在源漏极绝缘层上形成JAS层（3）；

（g）对数据线端子和扫描线端子、源漏极分别进行刻孔；

（h）在JAS层（3）上沉积ITO电极层（4）并进行ITO电极层图形化工艺，形成像素电极、接触孔电极和端子电极，则完成阵列基板的制造过程。