[发明专利]一种MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，包括：

在形成多晶硅栅极的MOS晶体管表面淀积氮化硅层或二氧化硅层；

在所述氮化硅层或二氧化硅层上涂光刻胶，经过曝光和显影后形成光刻胶图形；

以所述光刻胶图形为掩膜对MOS晶体管进行源漏区的离子注入，形成源漏区；

腐蚀所述氮化硅层或二氧化硅层，并以所述光刻胶图形为掩膜进行轻掺杂漏区的离子注入，形成轻掺杂漏区。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述氮化硅层的生长温度为700至900℃之间，厚度为0.1至0.5um之间；所述二氧化硅层的生长温度为600至800℃之间，厚度为0.1至0.5um之间。

3.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述源漏区注入的离子为磷离子，剂量为1.0E¹⁵至1.0E¹⁶个/cm2，能量为100KEV至200KEV。

4.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述轻掺杂漏区注入离子是磷离子，剂量为1.0E¹³至5.0E¹⁴个/cm，能量为50KEV至150KEV。

5.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，腐蚀所述氮化硅层使用浓磷酸，腐蚀所述二氧化硅层使用氢氟酸。

6.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，形成所述轻掺杂漏区后还包括：

将所述MOS晶体管进行去除光刻胶处理，并清洗。

7.根据权利要求1所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，形成多晶硅栅极的步骤具体包括：

在MOS晶体管的场区形成场氧化层；

在MOS晶体管的有源区形成栅氧化层；

在所述栅氧化层上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上涂光刻胶，并对所述多晶硅层进行曝光和显影，以显影后的光刻胶图形为掩膜，刻蚀多晶硅，形成多晶硅栅极；

对所述MOS晶体管进行去除光刻胶处理，并清洗。

8.根据权利要求7所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述栅氧化层的生长温度为900℃至1100℃之间，所述栅氧化层的厚度为0.01um至0.20um之间。

9.根据权利要求7所述的MOS晶体管轻掺杂漏区的形成方法，其特征在于，所述多晶硅层的生长温度为500℃至700℃之间，所述多晶硅层的厚度为0.1um至0.8um之间。