[发明专利]一种有机发光显示装置及其制造方法有效
申请号: | 201410247203.0 | 申请日: | 2014-06-05 |
公开(公告)号: | CN104037357A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 许晓伟;石磊;徐文清 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括阳极层、阴极层和设置于阳极层和阴极层之间的像素定义层和发光层,其中所述像素定义层具有开口,所述发光层设置于所述开口中,其特征在于,所述发光层与所述像素定义层之间设置有折射率大于所述像素定义层的折射率的高折射率绝缘层。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述像素定义层的制作材料为聚酰亚胺、亚克力或酚醛树脂,所述高折射率绝缘层的制作材料为Ti2O3、TiO2或ZnSe。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述高折射率绝缘层在所述开口处形成为弯曲弧形结构。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述弯曲弧形与所述阳极层所在平面之间的夹角位于20度至45度之间。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述高折射率绝缘层的厚度为10至1000nm。
6.如权利要求3所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述高折射率绝缘层邻近所述发光层的表面设置有多个相互呈不同倾斜角度的微平面,用于对传输至所述高折射率绝缘层的所述光线的角度进行折射,以使折射后的所述光线在传输至所述高折射率绝缘层与所述像素定义层的界面处时发生全反射。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有机发光显示装置还包括薄膜晶体管阵列基板,设置于所述阳极层远离所述发光层的一侧。
8.如权利要求1或7所述的有机发光显示装置,其特征在于,所述有机发光显示装置还包括彩膜基板,设置于所述阴极层远离所述发光层的一侧。
9.一种如权利要求1所述有机发光显示装置的制造方法,包括依次形成所述阳极层和所述像素定义层,其特征在于,还包括在所述像素定义层上形成所述高折射率绝缘层的步骤。
10.如权利要求9所述的制造方法,其特征在于,在所述像素定义层上形成所述高折射率绝缘层的步骤包括:
通过蒸镀、磁控溅射等工艺在所述像素定义层上形成具有所述高折射率绝缘层的制成材料的膜层;
通过构图工艺在所形成膜层上、所述像素定义层的开口位置形成开口,使阳极层露出,构成为高折射率绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择