[发明专利]发光二极体的量测装置在审

专利信息
申请号: 201410250400.8 申请日: 2014-06-06
公开(公告)号: CN104075879A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 张晋源;曾家彬;翁思渊;王遵义;张添登 申请(专利权)人: 致茂电子(苏州)有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G01J1/04
代理公司: 上海宏威知识产权代理有限公司 31250 代理人: 袁辉
地址: 215011 江苏省苏州市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 发光 二极体 装置
【说明书】:

技术领域

发明是有关于一种发光二极体的量测装置,特别是有关于一种量测覆晶式发光二极体的发光二极体的量测装置。

背景技术

发光二极体为由半导体材料制成的发光元件。因具有寿命长、安全性高、低功率、体积小、环保等优点,因此发光二极体逐渐成为照明灯具的主流趋势。

发光二极体需经过测试后才能进行实际应用。其测试流程为将载有发光二极体晶片的晶圆展开后承载于量测装置上,接着以探针接触电极使发光二极体发光,而后利用光检测器量测其光强度。

一般而言,光检测器必须将待量测的发光二极体罩住,以收集到待量测的发光二极体的完整光强度。然而对于覆晶式发光二极体而言,因其发光面与电极不在同一平面,因此无法适用于现今水平式与垂直式发光二极体的量测系统,必须另外设计专用于覆晶式发光二极体的量测设备。

发明内容

本发明提供一种发光二极体的量测装置,用于量测多个覆晶式发光二极体。覆晶式发光二极体之间皆具有一间隙。发光二极体的量测装置包含晶片膜、光检测装置与遮光元件。晶片膜承载覆晶式发光二极体。光检测装置设置于晶片膜相对覆晶式发光二极体的一侧。光检测装置具有收光口。遮光元件设置于收光口。遮光元件具有透光区与遮光区,遮光区环绕透光区。透光区的面积可涵盖单一覆晶式发光二极体与间隙的部分范围。

在一或多个实施方式中,遮光元件为板材,且透光区为开口。

在一或多个实施方式中,开口的内壁越靠近光检测装置其口径越大。

在一或多个实施方式中,遮光元件更包含反射层,形成于开口的内壁。

在一或多个实施方式中,遮光元件包含透明载体与遮光层。遮光层形成于透明载体相对光检测装置的表面。遮光层仅位于遮光区中。

在一或多个实施方式中,光检测装置为积分球。

在一或多个实施方式中,光检测装置包含反射腔与光侦测器。反射腔具有收光口,光侦测器设置于反射腔中。

在一或多个实施方式中,光检测装置包含反射腔与太阳能板。反射腔具有收光口,太阳能板设置于反射腔中。

在一或多个实施方式中,量测装置更包含探针组,设置于覆晶式发光二极体相对光检测装置的一侧。

在一或多个实施方式中,当探针组接触覆晶式发光二极体时,遮光元件支撑晶片膜使探针组与覆晶式发光二极体电性连接。

本实施方式的发光二极体的量测装置能够快速且精确地量测每一覆晶式发光二极体。仅有待量测的覆晶式发光二极体所发出的光能够通过透光区而进入光检测装置,至于周遭的覆晶式发光二极体所发出的光则会被遮光元件的遮光区挡住。如此一来,光检测装置即能够准确地量到单颗覆晶式发光二极体的光强度。

附图说明

图1为本发明一实施方式的发光二极体的量测装置的侧视图。

图2A为图1的区域P的一实施方式的局部放大图。

图2B为图1的区域P的另一实施方式的局部放大图。

图3为本发明另一实施方式的发光二极体的量测装置的侧视图。

图4为本发明再一实施方式的量测装置的侧视图。

其中:

100:晶片膜                       320:反射层

200:光检测装置                   330:透明载体

202:收光口                       332:表面

205:光度计                       340:遮光层

210:反射腔                       400:探针组

220:光侦测器                     900:覆晶式发光二极体

300:遮光元件                     910:间隙

302:透光区                       H:横向

304:遮光区                       P:区域

310:板材                         V:纵向

312:开口                         W1、W2、W3:宽度

313:内壁

具体实施方式

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