[发明专利]一种肖特基二极管的制造方法在审
| 申请号： | 201410250761.2 | 申请日： | 2014-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN105448710A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 崔金洪;谢春诚 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100871 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 制造 方法 | ||
1.一种肖特基二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
在硅片的第一表面制成二氧化硅层；
刻蚀所述二氧化硅层形成硬掩膜；
在所述二氧化硅层被刻蚀的部分进行光刻和刻蚀形成沟槽；
利用覆盖所述硬掩膜和所述沟槽中间部分的掩膜板，在所述沟槽中形成栅极氧化层；
在所述硬掩膜以及所述栅极氧化层的基础上制成多晶硅层；
移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述沟槽外的多晶硅层；
沉积金属并合金，制成第一金属层；
对所述第一金属层进行光刻和刻蚀，形成第一电极；
在所述硅片与所述第一表面相对的第二表面上形成第二电极。
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，制成所述二氧化硅层采用低压化学气相淀积设备，在680℃的温度下淀积7000埃的二氧化硅。
3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，刻蚀所述二氧化硅层采用干法刻蚀。
4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，刻蚀形成所述沟槽采用干法刻蚀，所述沟槽的深度为2.5um。
5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述栅极氧化层采用扩散炉在1000℃的温度下生长4000埃的二氧化硅。
6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，制成所述多晶硅层采用低压化学气相淀积设备，在560℃的温度下淀积8000埃的多晶硅。
7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，移除所述第一表面上的所述硬掩膜以及所述沟槽外的多晶硅层具体为：磨掉15500埃的厚度，包括8000埃的所述多晶硅层、7000埃的所述硬掩膜和500埃所述第一表面的硅。
8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，制成所述第一金属层具体为：
通过溅射台淀积1000埃的钛金属并在810℃的温度下进行30秒的合金，然后再通过所述溅射台溅射28000埃的铝生成所述第一金属层。
9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一电极具体为：对所述第一金属层进行光刻和刻蚀，并经过金属合金后采用扩散炉在425℃的温度下扩散60分钟形成所述第一电极。
10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第二电极具体为：
将所述第二表面进行减薄至所述硅片减薄到325um，通过蒸发台在所述第二表面淀积1000埃的钛金属、3000埃的镍金属以及20000埃的银金属形成所述第二电极。
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