[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其包括：

具有第一主面和在所述第一主面上形成的多个电极的接线板，以及

半导体芯片，其安装在所述接线板之上并且经由多个焊料耦合至所述电极，

其中，所述半导体芯片包括：

第二主面、在所述第二主面上形成的多个电极焊盘、

覆盖所述多个电极焊盘的各自的电极焊盘的一部分的第一绝缘膜、

从所述多个电极焊盘上的所述第一绝缘膜露出的多个开口部、

在所述多个电极焊盘和所述第一绝缘膜上形成并连接到所述多个焊料上的多个导体柱、以及

在所述多个电极焊盘中的第一电极焊盘的外侧形成的保护环；

其中，所述多个导体柱中的第一导体柱与所述第一绝缘膜重叠的部分指定为重叠区域时，第一宽度小于第二宽度，所述第一宽度为所述重叠区域的位于第一直线上的宽度，所述第一直线经过所述第一导体柱的中心和所述半导体芯片的中心，所述第二宽度为所述重叠区域的位于延长线上的宽度，所述延长线在经过所述第一直线的所述第一导体柱的中心的方向上延伸，

在截面图中，所述第一导体柱被设置为覆盖所述保护环。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一导体柱的所述中心比多个所述开口部中的位于所述第一电极焊盘上的第一开口部的中心更远离所述半导体芯片的所述中心。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述半导体芯片具有覆盖所述第二主面上的所述多个电极焊盘的各自的电极焊盘的一部分的第二绝缘膜，

所述第二绝缘膜由所述第一绝缘膜覆盖。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述导体柱的布置节距的平均值比所述开口部的布置节距的平均值更大。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，在平面图中，所述第一导体柱是所述多个导体柱中的与所述半导体芯片的端部最接近的导体柱。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，

其中，所述第二绝缘膜是氧化硅和氮化硅的叠层膜。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个电极焊盘、所述多个开口部和所述多个导体柱沿所述半导体芯片的第一侧以至少两行布置，以及

在所述两行中更内一行中的所述导体柱的中心和与所述导体柱重叠的所述开口部的中心对准。