[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体芯片和插线板通过导体柱彼此耦合。位于最外围开口之上的导体柱的中心在远离半导体芯片的中心的方向上偏离开口的中心。当将其中每个导体柱和绝缘层彼此重叠的区域指定为重叠区域时，重叠区域的比开口在更内侧上的宽度小于重叠区域的比开口在更外侧上的宽度。因此，当作用在导体柱上的应力被释放时，保持了半导体芯片和接线板之间的耦合可靠性。

相关申请的交叉引用

2013年6月7日提交的日本专利申请公开No.2013-121005的包括说明书、附图和说明书摘要的全部内容以引用的方式并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件，例如，一种可以应用于具有导体柱的半导体器件的技术。

背景技术

在将半导体芯片安装在接线板上时会使用到半导体器件。将半导体芯片安装到半导体器件的方法通常包括使用接线键合和倒装芯片安装的一种方法。与这些方法相反，其中通过在半导体芯片的电极之上形成导体柱并且在导体柱之上形成焊料层，来将半导体芯片面朝下地安装在接线板之上的方法正在研究中。与导体柱相关的技术包括专利文件1中公开的一种技术。

专利文件2公开了，在将在电极之上形成凸块时，凸块偏离电极。专利文件3教导了，在需要通过使用印刷技术在电极之上形成凸块时，掩膜的开口偏离电极。更具体地说，关于定位在芯片角处的电极，专利文件3教导了，掩膜的开口偏离芯片的中心。

[现有技术文件]

[专利文件]

[专利文件1]

日本特开No.2011-204840

[专利文件2]

日本特开No.2012-79973

[专利文件3]

日本特开No.2004-349621

发明内容

在与接线板水平的平面方向上，半导体芯片的线性热膨胀系数与接线板的线性热膨胀系数不同。因此，当半导体器件中发生温度改变时，在半导体芯片和接线板之间的界面上在剪切方向上产生应力。当半导体芯片和接线板通过导体柱彼此耦合时，该应力作用于导体柱。随着与半导体芯片的中心的距离的增加，作用于导体柱的应力会变得更大。因此，在电极和位于半导体芯片角处的导体柱之间的界面处，可能发生剥落。特别是当绝缘层SR1的温度变得高于其软化点时，绝缘层SR1不能吸收应力，据此发生剥落的可能性变得高。

与绝缘层SR1的温度变得高于其软化点相反时，可以想象的是，这引起绝缘膜在电极的外围之上延展，并且进一步地引起导体柱的外围在绝缘膜之上延展。根据该结构，作用在导体柱上的应力通过绝缘膜得以释放。然而，为了增加导体柱外围的这种延展量，必须使得导体柱的直径大，或者必须使得用于暴露形成在绝缘膜中的电极的开口小。然而，当使得导体柱的直径大时，导体柱的节距变得小，据此相邻导体柱可能会经由焊料发生短路。当使得开口小时，导体柱和电极之间的耦合电阻变得大。因此，在作用在导体柱上的应力被释放时，难以保持半导体芯片和接线板之间的耦合可靠性。其它目的和新颖特征将由本说明书的说明和附图而变得显而易见。

[解决方案]

将导体柱和绝缘膜彼此重叠的部分指定为重叠区域。第一直线从最接近半导体芯片第一侧一端的第一导体柱的中心(起点)延伸到半导体芯片的衬底中心(终点)。根据本发明的实施例，作为位于第一直线上的重叠区域宽度的第一宽度小于作为延长线上重叠区域宽度的第二宽度，延长线在第一直线经过第一导体柱中心的方向上延伸。第二直线，作为经过第一导体柱中心以及与在绝缘膜中形成的开口外的第一导体柱重叠的第一开口中心的直线，与第一侧相交呈一定角度，但是不为90°。