[发明专利]双界面卡的制造方法、卡基铣槽方法与设备有效

专利信息
申请号: 201410253672.3 申请日: 2014-06-10
公开(公告)号: CN104001976B 公开(公告)日: 2017-11-21
发明(设计)人: 向泽亮 申请(专利权)人: 深圳市华鑫精工机械技术有限公司
主分类号: B23C3/28 分类号: B23C3/28;G06K19/07
代理公司: 深圳茂达智联知识产权代理事务所(普通合伙)44394 代理人: 胡慧
地址: 518000 广东省深圳市宝安区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 界面 制造 方法 卡基铣槽 设备
【说明书】:

技术领域

发明涉及双界面卡的制造,尤其涉及的是,一种双界面卡的制造方法、双界面卡的卡基铣槽方法与双界面卡的卡基铣槽设备。

背景技术

双界面卡是基于单芯片的、集接触与非接触式接口为一体的智能卡,它具有两个操作方式:芯片接触式和射频感应式。双界面卡的卡基内设有天线和芯片,天线夹于卡基内,芯片镶嵌在卡基表面且触点裸露在外,天线的两端与芯片焊点连接,通过天线接收读卡器发射的电磁波实现非接触读卡,通过芯片触点与读卡器触点接触实现接触读卡。

双界面卡生产工序包括铣槽、挑线、焊接与封装,在卡基镶嵌芯片位进行铣槽,将天线线头裸露出来,由挑线夹将线头挑出,与芯片焊点连接,再进行封装。

在铣槽的时候会涉及到一个铣槽的深浅度。在旧式的双界面铣槽挑线机上,都是由人工设置一个铣槽深度,但这是不合理的,因为卡基在植线层压的时候卡基线圈的深度受很多因素的影响,所以它的线圈深度是不固定的。

所以旧式的双界面铣槽挑线机存在铣槽过深而把线头铣掉和铣槽不够深而挑不出线头等不稳定因素。

因此,现有技术存在缺陷,需要改进。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种新的双界面卡的制造方法、双界面卡的卡基铣槽方法与双界面卡的卡基铣槽设备。

本发明的技术方案如下:一种双界面卡的卡基铣槽方法,其包括以下步骤:S1,对双界面卡的卡基,检测卡基线圈到卡基正表面的距离,确定铣槽深度;S2,根据所述铣槽深度执行铣槽操作。

优选的,所述卡基铣槽方法中,步骤S1中,通过透视检测所述距离。

优选的,所述卡基铣槽方法中,步骤S1中,铣削卡基并检测所述距离。

优选的,所述卡基铣槽方法中,步骤S1之前,执行以下步骤S0:将所述卡基置于交变电磁场中;步骤S1包括以下步骤:S101,采用高速旋转的铣刀铣削卡基;S102,所述铣刀的刀刃接触到卡基线圈时,所述刀刃周期性地同时接触到所述卡基线圈的两端线头,产生瞬时电流;S103,所述瞬时电流产生周期性的卡基线圈电磁场,在感应线圈处产生交变感应电流;S104,检测到所述交变感应电流时,控制所述铣刀停止铣削卡基,计算所述距离,确定铣槽深度。

优选的,所述卡基铣槽方法中,步骤S1包括以下步骤:S111,采用高速旋转的铣刀铣削卡基;S112,所述铣刀的正极刀刃与负极刀刃分别接触到卡基线圈的两端线头时,导通感应电路,输出终止信号;S113,接收到所述终止信号时,控制所述铣刀停止,计算所述距离,确定铣槽深度。

优选的,所述卡基铣槽方法中,步骤S1之前,通过透视确定初步铣削深度;步骤S1中,根据所述初步铣削深度,直接铣削卡基到所述初步铣削深度,然后继续铣削卡基并检测所述距离。

本发明的又一技术方案如下:一种双界面卡的制造方法,包括铣槽、挑线、焊接与封装步骤,所述铣槽步骤中,包括任一上述卡基铣槽方法。

本发明的另一技术方案如下:一种双界面卡的卡基铣槽设备,其包括顺序连接的检测装置、计算装置与铣槽装置;所述检测装置用于对双界面卡的卡基进行检测,获得卡基线圈到卡基正表面的距离,传输给所述计算装置;所述计算装置用于根据所述距离计算铣槽深度;所述铣槽装置用于根据所述铣槽深度执行铣槽操作。

优选的,所述卡基铣槽设备中,所述检测装置设置透视单元,其通过透视检测所述距离。

优选的,所述卡基铣槽设备中,所述检测装置还设置感应线圈及其电流感应器,以及外接交流电源的交流线圈;所述铣槽装置设置铣刀及其旋转单元和控制单元;所述旋转单元用于高速旋转所述铣刀;所述交流线圈用于产生交变电磁场;所述铣刀用于铣削卡基,在其刀刃接触到待检测的卡基线圈时,所述刀刃周期性地同时接触到所述卡基线圈的两端线头,产生瞬时电流;所述感应线圈用于根据所述瞬时电流产生周期性的卡基线圈电磁场,而产生交变感应电流;所述控制单元用于根据所述交变感应电流,控制所述铣刀停止铣削卡基,通知所述检测装置,由其计算所述距离。

采用上述方案,本发明检测双界面卡的卡基线圈到卡基正表面的距离,确定铣槽深度后再根据所述铣槽深度执行铣槽操作,避免了铣槽过深而把线头铣掉或者铣槽不够深而挑不出线头,具有很高的市场应用价值。

附图说明

图1为本发明的一个实施例的双界面卡结构示意图;

图2为本发明方法的一个实施例的透视检测示意图;

图3为本发明方法的一个实施例的电磁感应检测示意图;

图4为图3的G-G部分放大示意图;

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