[发明专利]半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一第一电极层；

一第二电极层；以及

一介电层，具有一氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，并配置在该第一电极层与该第二电极层之间，其中该第二电极层的宽度是往远离该介电层的方向变大。

2.一种半导体结构，包括：

一第一电极层；

一第二电极层；以及

一介电层，具有一氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，并配置在该第一电极层与该第二电极层之间，其中该第二电极层的掺杂质浓度是往接近该介电层的方向变低。

3.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中该第二电极层包括一第一电极部分与一第二电极部分，该第一电极部分介于该第二电极部分与该介电层之间，该第一电极部分的掺杂质浓度小于该第二电极部分的掺杂质浓度，该第一电极部分的掺杂质浓度是往接近该介电层的方向变低。

4.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中该第二电极层包括一第一电极部分与一第二电极部分，该第一电极部分介于该第二电极部分与该介电层之间，该第二电极部分具有固定的宽度，该第一电极部分的宽度是往远离该介电层的方向变大。

5.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中该第二电极层具有相邻接的一第一侧边与一第二侧边，该第一侧边邻接该介电层，该第二侧边与该介电层分开，该第二侧边具有一平直的、内凹的或外凸的侧边。

6.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中该第二电极层具有相邻接的一第一侧边与一第二侧边，该第一侧边邻接该介电层，该第二侧边与该介电层分开，该第一侧边与该第二侧边之间的夹角大于90度。

7.根据权利要求1或2所述的半导体结构，其中该半导体结构为三维叠层存储器装置。

8.一种半导体结构的制造方法，包括：

形成一第一电极层；

形成一介电层于该第一电极层上；

形成一第一电极材料于该介电层上；

形成一第二电极材料于该第一电极材料上；

进行一热步骤以将该第二电极材料的掺杂质扩散至该第一电极材料中；以及

进行一刻蚀步骤以同时移除部分的该第一电极材料与该第二电极材料，其中该刻蚀步骤对该于该第一电极材料的刻蚀速率高于对于该第二电极材料的刻蚀速率，该第一电极材料与该第二电极材料留下的部分是形成一第二电极层。

9.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，其中该第一电极材料是未掺杂的多晶硅，该第二电极材料是掺杂P型杂质的多晶硅。

10.根据权利要求8所述的半导体结构的制造方法，更包括移除该介电层未与该第二电极层接触的部分。