[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有多个存储单元的前端器件，所述存储单元包括至少两个上拉晶体管、至少两个下拉晶体管以及至少两个传输门晶体管，其中，所述上拉晶体管、所述下拉晶体管和所述传输门晶体管均包括栅极和栅极侧壁；

对每个存储单元中的两个所述传输门晶体管进行非对称口袋离子注入，使所述两个传输门晶体管之间的口袋区的掺杂浓度低于所述两个传输门晶体管外侧的口袋区的掺杂浓度，以实现读操作时传输门晶体管高的阈值电压和写操作时低的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非对称口袋离子注入通过小角度倾斜离子注入和大角度倾斜离子注入结合来实现。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在进行所述大角度倾斜离子注入时，通过利用两个所述传输门晶体管的相邻栅极的遮蔽效应，只对两个所述传输门晶体管的相邻栅极外侧的所述半导体衬底区域进行注入，不对所述相邻栅极中间的所述半导体衬底区域进行注入。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在进行所述小角度倾斜离子注入时，可以实现对两个所述传输门晶体管栅极外侧和相邻两个所述传输门晶体管栅极中间的所述半导体衬底区域的口袋注入。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在靠近所述传输门晶体管的源区形成了具有高掺杂的口袋区，靠近漏区形成了具有低掺杂的口袋区。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非对称口袋离子注入采用N型杂质作为注入源。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述N型杂质为P或As。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在进行所述非对称口袋离子注入的步骤之前，还包括形成覆盖每个所述存储单元中的两个所述上拉晶体管的掩膜的步骤。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体器件为静态随机存取存储器。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括多个存储单元，所述存储单元包括至少两个上拉晶体管、至少两个下拉晶体管以及至少两个传输门晶体管，其中，在每个所述存储单元中，所述两个传输门晶体管之间的口袋区的掺杂浓度低于所述两个传输门晶体管外侧的口袋区的掺杂浓度，以实现读操作时传输门晶体管高的阈值电压和写操作时低的阈值电压。

11.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，位于相邻两个所述传输门晶体管栅极之间的口袋区为低掺杂口袋区，位于两个所述传输门晶体管外侧的口袋区为高掺杂口袋区。

12.根据权利要求10所述的器件，其特征在于，所述半导体器件为静态随机存取存储器。

13.一种电子装置，其特征在于，包括权利要求10所述的半导体器件。