[发明专利]高密度互连印制线路板的制作工艺在审

专利信息
申请号: 201410256525.1 申请日: 2014-06-10
公开(公告)号: CN104135822A 公开(公告)日: 2014-11-05
发明(设计)人: 黄伟;武瑞黄;樊泽杰;陶伟良 申请(专利权)人: 上海美维电子有限公司;上海美维科技有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/46;H05K3/28
代理公司: 上海脱颖律师事务所 31259 代理人: 李强
地址: 201613 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高密度 互连 印制 线路板 制作 工艺
【说明书】:

技术领域

发明涉及印刷线路板制造领域,特别涉及一种高密度互连印制线路板的内层板的制作工艺。

背景技术

线路板作为提供电子零组件安装与插接时主要的支撑体,是所有电子产品不可或缺的部分。近年来信息、通讯、以及消费性电子产品制造业已成为全球成长最快速的产业之一,电子产品日新月异,并朝着体积小,质量轻,功能复杂的方向不断发展,这对线路板提出了更高的要求。传统的线路板制作工艺,通过减小板面导电线路的线宽或线距来提高板线路密度,以适应电子产品向更轻、更小的方向发展。但线宽或线距的减小量有限,仅通过提高板面线路密度已无法满足电子产品的发展需求,故高密度互连技术(HighDensity Interconnect Technology,HDI)应运而生。高密度互连线技术将多层线路叠加层压,制造出薄型、多层、稳定的高密度互连线路板。

传统的高密度互连线路板的生产工艺,在蚀刻表面铜箔形成导电线路之前,先对表面铜箔进行蚀刻处理以减薄铜箔的厚度;再对第一基板进行钻孔形成导通孔,采用电镀工艺对整板进行电镀,将孔填满以实现各层导电层之间的导通;最后进行表面铜面线路图形制作。由于是对整板进行电镀来完成导通孔填满,使得表面铜箔也沉积了一定厚度的电镀金属,若沉积的厚度大于精细线路(线宽/线距不大于75μm)制作所要求的最大厚度值,则无法制得精细线路,需要再次进行蚀刻处理以减薄铜箔的厚度适合细线路制作,工艺繁琐。另一方面由于表面铜厚度经过蚀刻减薄、电镀沉积增加厚度、再蚀刻减薄表面铜厚度的流程,会大大降低导电层的厚度均匀性,且侧蚀量越大、电镀量越大,蚀刻精度和电镀精度就越低,厚度均匀性就越差,直接影响线路制作能力和公差精度,大大降低了高密度互连线路板的品质和合格率。从而无法适应电子产品更轻、更小、更薄的发展要求。此外,传统的工艺中为了避免蚀刻减薄和电镀沉积对铜厚度均匀性的影响,只有提高蚀刻、电镀设备的生产能力,提高对生产的管理和控制,才可能降低蚀刻、电镀对导电层的厚度均匀性的影响,但生产成本则会大大增加。蚀刻减薄铜箔还会造成原材料的浪费,增加生产成本。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有技术中的不足,提供一种适用于精细导电线路的线路板的制作工艺。

为实现以上目的,本发明通过以下技术方案实现:

高密度互连印制线路板的制作工艺,其特征在于,包括:

a.提供一第一基板;所述第一基板包括至少一层第一导电层、至少一层第二导电线路和至少一层第一绝缘层;所述第一导电层和所述第二导电线路通过所述第一绝缘层绝缘隔离;所述第一导电层位于所述第一绝缘层的上表面;

b.采用蚀刻液蚀刻第一导电层,形成第一导电线路和至少一个第一窗;

c.采用钻孔工具穿过所述第一窗对所述第一绝缘层钻孔,形成导通孔;所述导通孔自第一导电线路延伸至第二导电线路;

d.对所述第一基板进行化学沉铜处理,使所述第一基板的上表面和所述第一窗的内壁及所述导通孔的内壁覆盖一层金属铜;

e.在覆盖所述第一基板上表面的金属铜的表面设置保护膜;所述保护膜开设有至少一个第二窗;所述第二窗与所述第一窗位置相对应;

f.对设有保护膜的第一基板进行电镀处理,使所述导通孔和所述第一窗填满金属铜;

g.去除保护膜;再将所述第一绝缘层上表面覆盖的金属铜去除。

优选地是,所述第一基板包括至少两层第一绝缘层;所述第二导电线路位于两层第一绝缘层之间。

优选地是,所述第一导电层的厚度为10~25μm。

优选地是,所述第一导电层为层压在第一绝缘层上表面的铜箔。

优选地是,所述步骤b中,所述第一导电线路的线宽为15~75μm;线距为15~75μm;所述第一窗为直径在50~150μm范围内的圆孔。

优选地是,所述步骤c中,钻孔工具为激光束。

优选地是,所述步骤d中,根据实际情况,化学沉铜处理之前,可先对第一基板进行去钻污处理,去除导通孔内的钻屑。激光钻孔过程中,导通孔内可能会沉积钻屑,并且因为钻孔时的高温造成钻屑与孔壁的紧密结合,难以排出。钻屑沉积会形成塞孔、孔内开路等致命缺陷。去钻污处理,即在强碱性条件下,采用强氧化剂高锰酸钾清洗导通孔的孔壁,使主要成分为环氧高分子有机物的钻屑氧化,从而将钻屑除去,裸露出孔壁,为后续的化学沉铜处理提供一个良好的粘接界面。

优选地是,所述步骤d中,第一基板上表面覆盖的金属铜的厚度≤2μm。

优选地是,所述步骤e中,所述第二窗为通孔,且横截面面积大于所述第一窗的横截面面积。

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