[发明专利]用于集成无源器件的测试板以及测试方案有效

专利信息
申请号: 201410256680.3 申请日: 2014-06-10
公开(公告)号: CN105203852B 公开(公告)日: 2019-07-02
发明(设计)人: 杜天敏;陆原;刘丰满 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所;华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
主分类号: G01R27/26 分类号: G01R27/26;G01R27/02
代理公司: 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 代理人: 陈红
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 集成 无源 器件 测试 以及 方案
【说明书】:

发明公开了一种用于集成无源器件的测试板,包括测试结构和校准结构,其特征在于:所述校准结构与所述测试结构位于同一块PCB板上,并且与所述测试结构的布局相同。依照本发明的用于集成无源器件的测试结构,在测试板上设计了IPD芯片的高频测试连接端口和误差校准结构,实现了测试点的连接,又通过校准结构的设计巧妙地消除测试链路中的误差,方便地进行IPD高频测试的校准和测试,提供了一种便捷准确的测量方式,满足IPD芯片研发工作中的测试需求。

技术领域

本发明涉及一种电子装置,特别是涉及一种能够适用于测量集成无源器件(IPD)的高频LCR参数测试的测试板、以及应用了该测试板的电子测试方案。

背景技术

消费电子类产品发展迅速,要求制造商提提供尺寸小、速率快、价格低廉的元器件产品。例如,在手机通信等电子装置中,需要在小面积的电路板上集成形成高性能的高频器件(例如800MHz以上、乃至2.4GHz以上)、诸如射频(RF)器件。IPD(集成无源器件)因为满足这些所有要求,近来成为研究开发热点。

研发工作中,经常情况是很多器件集成在一个很小面积的IPD芯片上(例如0.5mm×1mm或更小),例如在高电阻R的半导体衬底中(例如采取掺杂阱区电阻)或者之上(例如薄膜电阻、电感或电容)提供高Q值的电感L以及高介电常数薄膜构成的电容C。然而,通常采用离子注入掺杂或者金属、绝缘膜的沉积来形成这些高密度的无源器件,工艺参数的波动将极大影响IPD的精度,使得电子装置整体性能下降。为此,除了在制造工艺前端精确调整工艺参数,还必需在制造IPD之后、最终封装IPD之前对电路板上搭载的IPD做必要的板上测试以便控制器件的最终电学性能。

然而,受制于PCB板或者芯片衬底的集成度要求,IPD的测试接口密度更大、尺寸更小,不同于传统电子器件的大尺寸接线柱端子,无法采用万用表、示波器等常规仪器用常规方法测量,使得准确测试IPD芯片上器件的高频电特性成为一个难点。

发明内容

由上所述,本发明的目的在于克服上述技术困难,提出一种能够适用于测量集成无源器件(IPD)的高频LCR参数测试的测试板、以及应用了该测试板的测试方案。

为此,本发明提供了一种用于集成无源器件的测试板,包括测试结构和校准结构,其特征在于:所述校准结构与所述测试结构位于同一块PCB板上,并且与所述测试结构的布局相同。

其中,所述测试结构包括第一端子、第二端子以及第一互连布线,所述第二端子位于所述第一端子外围、并且通过所述互连布线与所述第一端子电连接。

其中,所述校准结构包括第三端子、第四端子以及第二互连布线,所述第三端子和第四端子的相对位置关系、与所述第一端子和第二端子的相对位置关系相同,所述第二互连布线与所述第一互连布线长度以及方向相同。

其中,所述校准结构位于所述测试板的角落或者侧边处,或者与所述测试结构间隔排列。

其中,所述校准结构包括开路校准结构和短路校准结构,所述短路校准结构的端子之间具有短路布线。

其中,所述校准结构与所述测试结构的形成工艺以及材料相同。

本发明另一方面还提供了一种用于集成无源器件的测试系统,包括:测试板,包括测试结构和校准结构,所述校准结构位于所述测试结构周围、并且与所述测试结构的布局相同;测试仪,通过电缆和探针与所述测试板电连接;待测的集成无源器件,通过所述测试结构与所述测试板电连接。

其中,所述测试结构包括第一端子、第二端子以及第一互连布线,所述校准结构包括第三端子、第四端子以及第二互连布线,所述第三端子和第四端子的相对位置关系、与所述第一端子和第二端子的相对位置关系相同,所述第二互连布线与所述第一互连布线长度以及方向相同。

其中,所述测试仪倒装安装在所述测试板的测试结构上。

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