[发明专利]激光退火装置及利用该装置的显示设备制造方法有效
申请号: | 201410257667.X | 申请日: | 2014-06-11 |
公开(公告)号: | CN104858546B | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 秋秉权;安尚薰;郑炳昊;赵珠完 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | B23K26/064 | 分类号: | B23K26/064;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光 退火 装置 利用 显示 设备 制造 方法 | ||
本发明提供一种激光退火装置及利用该装置的显示设备制造方法,该激光退火装置包括:主激光束发射部,其能够发射主激光束;激光束分束部,其能够将从所述主激光束发射部发射的主激光束分束成多束子主激光束;多个相位调制器,其分别位于被所述激光束分束部分束的多束子主激光束各自的光路上,能够调制通过的激光束的相位;激光束合束部,其将分别通过了多个所述相位调制器的激光束合并。本发明的激光退火装置能够发射均匀的激光束,从而能够实现高质量的非晶硅层退火。
技术领域
本发明涉及一种激光退火装置及利用该装置的显示设备制造方法,具体涉及一种能够通过发射均匀的激光束来实现高质量的非晶硅层退火的激光退火装置,以及利用该装置的显示设备制造方法。
背景技术
通常,有机发光显示设备或液晶显示设备等利用薄膜晶体管来控制各像素的发光与否或发光程度。此类薄膜晶体管包括半导体层、栅极电极以及源漏电极等,而作为半导体层,主要使用将非晶硅经过晶化处理得到的多晶硅。
将制造具备这样的薄膜晶体管的薄膜晶体管基板或利用该基板的显示设备的工序说明如下:在基板上形成非晶硅层,经过将该非晶硅层晶化处理成多晶硅的过程,制造薄膜晶体管基板或包括该基板的显示设备。
但是,在上述现有的制造工序中,存在不易使非晶硅均匀地晶化成多晶硅的问题。在显示设备的制造工序中,需要在基板上的不同位置使非晶硅晶化成多晶硅,为此,对非晶硅照射激光束。此时,如果照射的激光束强度不均,就有可能不同位置的非晶硅层的晶化程度不同,即使在特定区域内,非晶硅层的晶化程度也可能不均。
发明内容
本发明是为了解决包括上述问题的各种问题而做出的,其目的在于,提供一种能够通过发射均匀的激光束来实现高质量的非晶硅层退火的激光退火装置以及利用该装置的显示设备制造方法。需要说明的是,所述技术问题仅是示例,并不限定本发明的范围。
作为本发明的一个技术方案,提供一种激光退火装置,包括:主激光束发射部,其能够发射主激光束;激光束分束部,其能够将从所述主激光束发射部发射的主激光束分束成多束子主激光束;多个相位调制器,其分别位于被所述激光束分束部分束的多束子主激光束各自的光路上,能够调制通过的激光束的相位;激光束合束部,其将分别通过了多个所述相位调制器的激光束合并(merge)。
并且,可以进一步包括能够发射副激光束的副激光束发射部,所述激光束分束部能够将从所述副激光束发射部发射的副激光束分束成多束子副激光束,被所述激光束分束部分束的多束子副激光束能够通过多个所述相位调制器。
进一步地,所述激光束分束部可以将从所述主激光束发射部发射的主激光束分束成n束的子主激光束,将从所述副激光束发射部发射的副激光束分束成n束的子副激光束,使n束的子主激光束与n束的子副激光束一一对应地合并,从而发射n束的子激光束。
此外,多个所述相位调制器可以包括第一相位调制器至第n相位调制器,所述第一相位调制器至所述第n相位调制器位于n束子激光束的光路上。
此外,可以进一步包括追加分束部,所述追加分束部将通过了所述激光束分束部的n束子激光束各自分束成k束的子激光束,从而发射n×k束的子激光束(k是2以上的自然数)。
此时,多个所述相位调制器包括第一相位调制器至第n×k相位调制器,所述第一相位调制器至所述第n×k相位调制器位于n×k束子激光束的光路上。
多个所述相位调制器中的至少一个具有激光束通过介质以及能够使所述激光束通过介质振动的振动部。此时,所述激光束通过介质可以包括蓝宝石及石英中的至少一种。
所述振动部可以包括压电促动器。
多个所述相位调制器中的至少一个可以具有道威棱镜(dove prism)。
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