[发明专利]机台之机械手臂偏移的检测装置及其检测方法有效

专利信息
申请号: 201410258529.3 申请日: 2014-06-11
公开(公告)号: CN104022055B 公开(公告)日: 2016-11-23
发明(设计)人: 何理;许向辉;郭贤权;陈超 申请(专利权)人: 上海华力微电子有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 王宏婧
地址: 201203 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 机台 机械 手臂 偏移 检测 装置 及其 方法
【权利要求书】:

1.一种机台之机械手臂偏移的检测装置,其特征在于,所述机台之机械手臂偏移的检测装置为晶舟,所述晶舟具有间隔设置的控片容置区域,所述控片容置区域之第一控片容置区域和第二控片容置区域以所述晶舟之中间控片容置区域为中心呈对称分布,且所述第一控片容置区域和所述第二控片容置区域沿所述晶舟之两端的纵向宽度较所述中间控片容置区域的纵向宽度呈阶梯型逐次增大。

2.如权利要求1所述的机台之机械手臂偏移的检测装置,其特征在于,所述机台之机械手臂偏移的检测装置以所述晶舟之中间控片容置区域为中心,并向所述晶舟之两侧延伸,对称连续的设置第一偏移区域、第二偏移区域、第三偏移区域。

3.如权利要求2所述的机台之机械手臂偏移的检测装置,其特征在于,在所述第一偏移区域内发生机械性刮伤缺陷,表征所述第一偏移区域为硬件严重偏移区域;在所述第二偏移区域内发生机械性刮伤缺陷,表征所述第二偏移区域为硬件预警区域;在所述第三偏移区域内发生机械性刮伤缺陷,表征所述第三偏移区域为硬件轻微偏移区域。

4.如权利要求1所述的机台之机械手臂偏移的检测装置,其特征在于,所述呈阶梯型逐次增大的纵向宽度L为现有晶舟之相邻晶圆的间隔距离。

5.如权利要求1~4任一权利要求所述的机台之机械手臂偏移的检测装置,其特征在于,所述晶舟具有间隔设置的25个控片容置区域。

6.如权利要求5所述的机台之机械手臂偏移的检测装置,其特征在于,放置第13片晶圆的位置为所述晶舟之中间控片容置区域。

7.如权利要求6所述的机台之机械手臂偏移的检测装置,其特征在于,以所述第13片晶圆所在位置为中心,在所述晶舟上形成由从第1片晶圆所在位置到第12片晶圆所在位置所构成的第一控片容置区域,以及由从第14片晶圆所在位置到第25片晶圆所在位置所构成的第二控片容置区域,且所述第一控片容置区域之控片容置区域沿所述晶舟之异于所述中间控片容置区域的一端之纵向宽度较所述中间控片容置区域之纵向宽度呈阶梯型逐次增大,所述第二控片容置区域沿所述晶舟之异于所述中间控片容置区域的一端之纵向宽度较所述中间控片容置区域之纵向宽度呈阶梯型逐次增大。

8.如权利要求6所述的机台之机械手臂偏移的检测装置,其特征在于,所述第13片晶圆所在中间控片容置区域之控片容置区域的宽度为L,第12片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第14片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+Δd);第11片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第15片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+2Δd);第10片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第16片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+3Δd);第9片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第17片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+4Δd);第8片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第18片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+5Δd);第7片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第19片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+6Δd);第6片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第20片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+7Δd);第5片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第21片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+8Δd);第4片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第22片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+9Δd);第3片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第23片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+10Δd);第2片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第24片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+11Δd);第1片晶圆所在第一控片容置区域之控片容置区域的宽度和第25片晶圆所在第二控片容置区域之控片容置区域的宽度为(L+12Δd)。

9.一种如权利要求1所述的机台之机械手臂偏移的检测装置在用于机械性刮伤缺陷检测时,包括:

执行步骤S1:在控片上铺设预设厚度的光阻或者淀积预设厚度的硅氧化物薄膜;

执行步骤S2:将所述具有预设厚度的光阻或氮氧化物薄膜的控片置于所述晶圆中,并在待检测机台传送进行循环的取换操作,所述循环取换操作的次数为40~60次;

执行步骤S3:循环取放操作完成后,对所述控片进行缺陷扫描,并根据所述第一偏移区域、第二偏移区域和第三偏移区域发生的缺陷情况进行设备检修、校正。

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