[发明专利]一种刚柔结合电路板的外层线路制作方法在审
申请号: | 201410259483.7 | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN104023479A | 公开(公告)日: | 2014-09-03 |
发明(设计)人: | 何淼;彭卫红;刘东 | 申请(专利权)人: | 深圳崇达多层线路板有限公司 |
主分类号: | H05K3/06 | 分类号: | H05K3/06 |
代理公司: | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人: | 任哲夫 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 结合 电路板 外层 线路 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及电路板生产技术领域,尤其涉及一种刚柔结合电路板的外层线路制作方法。
背景技术
刚柔结合板,以及设有阶梯槽的电路板,因其结构的特点,生产过程中需要使用不流胶半固化片,柔性板区域或者阶梯位通过不流胶半固化片开窗,再参与压合,在窗口位置会形成较大的落差,压合后接着进行钻孔、沉镀铜、制作外层线路和涂覆阻焊层等。外层线路的制作过程中,外层图形转移一般采用干膜或者湿膜生产。干膜的附着能力适合做平面贴合,不适合在较大落差的板上贴合,如当刚柔结合电路板上的刚柔结合位处(如图1所示)的落差≧0.15mm时,外层贴合干膜极易产生气泡,曝光显影以后会因干膜与铜面结合力不牢(存在气泡)而导致干膜脱落,使线路产生开路,产生线路开路的电路板大多做报废处理,严重影响了产品线路生产。虽然湿膜流动能力比较好,可以填充≧0.15mm的落差,但是不具有封孔能力和抗电镀药水能力。
发明内容
本发明要解决的技术问题是针对刚柔结合电路板制作外层线路的过程中,在刚柔结合位的贴膜极易出现气泡导致线路开路的问题,提供一种通过干膜与湿膜的配合进行外层图形转移,可避免出现因起泡而导致线路开路的外层线路制作方法。
为实现上述目的,本发明采用以下技术方案,一种刚柔结合电路板的外层线路制作方法,包括以下步骤:
S1、一经过外层前处理的刚柔结合电路板初板,所述刚柔结合电路板初板上设有孔。
S2、在刚柔结合电路板初板上贴合干膜使孔被干膜覆盖,然后对孔位置上的干膜进行一次曝光,通过干膜封孔,而其他位置不做图形,之后进行一次显影。优选的,在刚柔结合电路板初板上全板贴合干膜。
S3、在刚柔结合电路板初板上涂布湿膜,然后对湿膜进行二次曝光,经二次曝光得到的图形是完整的外层图形。接着进行二次显影,完成外层图形转移。优选的,湿膜的涂布厚度为10-14μm。
S4、对刚柔结合电路板初板依次进行图形电镀和外层蚀刻。优选的,所述外层蚀刻采用酸性蚀刻;更优选的,酸性蚀刻中使用的酸性蚀刻剂为含氯酸钠的盐酸溶液;所述氯化氢与氯酸钠的重量之比为1:6,所述酸性蚀刻剂中氯化氢的浓度小于或等于6mol/L。
S5、在刚柔结合电路板初板上制作阻焊层,形成刚柔结合电路板粗板;然后对刚柔结合电路板粗板进行表面处理和成型。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:本发明在外层图形转移的过程中通过先贴干膜并直接进行曝光显影,从而通过干膜封孔;然后再涂布湿膜并进行曝光显影完成外层图形转移,从而可避免刚柔结合位处出现贴膜不牢、产生气泡的现象,避免因贴干膜而导致线路开路的问题,提高良品率,保障产品品质。尤其是刚柔结合位处的落差≧0.15mm时,通过本发明方法可明显提高产品的良品率,良品率高达98%。以本发明方法生产刚柔结合电路板,每制备200m2的刚柔结合电路板,可节省约3万元的报废金额,降低刚柔结合电路板的生产成本。
附图说明
图1为刚柔结合电路板的截面结构示意图;
图2为在刚柔结合电路板初板上贴合干膜、涂布湿膜并曝光显影后的截面结构示意图。
具体实施方式
为了更充分理解本发明的技术内容,下面结合具体实施例对本发明的技术方案作进一步介绍和说明。
实施例
本发明提供的一种刚柔结合电路板外层线路的制作方法,包括以下步骤:
(1)制作刚柔结合电路板初板并进行外层前处理
根据现有技术制作刚性电路子板和柔性电路子板:对刚性和柔性覆铜板原料进行开料,然后依次进行内层图形转移和内层蚀刻,形成各内层电路板。(不流胶半固化片需要开窗,即将未压合区域位置掏开,开窗边缘则将形成压合后的高度落差。不流胶半固化片单张厚度通常为0.08mm,使用不流胶半固化片的数量越多,压合后所形成的落差就越大)。
将制作好的各内层电路板进行压合形成刚柔结合电路板初板,对刚柔结合电路板初板进行钻孔和清除孔内残余物,然后放入电镀槽内进行沉铜和全板电镀,完成刚柔结合电路板初板的外层前处理。
(2)外层图形转移(干膜封孔,湿膜做图形)
在刚柔结合电路板初板上全板贴合干膜,使设有孔4的位置被干膜完全覆盖。然后对设有孔的位置上的干膜进行一次曝光,而其他位置不做图形,之后进行一次显影,通过干膜进行封孔。一次曝光和一次显影分别采用现有技术中干膜曝光和显影参数。如:干膜曝光能量,曝光尺做到6格有胶,显影药水浓度:1.0%,温度:28-32度。
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