[发明专利]一种CoCrPt系合金溅射靶材和薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201410260448.7 | 申请日: | 2014-06-12 |
公开(公告)号: | CN104032274A | 公开(公告)日: | 2014-09-10 |
发明(设计)人: | 谭志龙;张俊敏;王传军;闻明;毕珺;沈月;宋修庆;管伟明;郭俊梅 | 申请(专利权)人: | 贵研铂业股份有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C22C19/07;C22C1/10;C22C1/02;G11B5/851;G11B5/852 |
代理公司: | 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650106 云南省昆明市高新*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 cocrpt 合金 溅射 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1.一种CoCrPt系合金溅射靶材,其特征在于:所述CoCrPt系合金溅射靶材含有B元素,B元素的含量为0~20个原子百分比,所述合金靶材包括富Co相和富B相两个物相,其中富B相均匀的分布在富Co相中,所述富Co相的平均晶粒尺寸在20~50μm,富B相的平均晶粒尺寸在0~20μm。
2.根据权利要求1所述的CoCrPt系合金溅射靶材,其特征在于:所述合金靶材为Co11.5Cr22Pt10B或Co13Cr16Pt10B。
3.根据权利要求1所述的CoCrPt系合金溅射靶材,其特征在于:所述合金靶材还含有Si,Ti,Ta,Y,Zr等元素中的一种或几种。
4.根据权利要求1所述的CoCrPt系合金溅射靶材,其特征在于:所述合金靶材各元素的实际含量与名义含量的偏差<0.5at%。
5.根据权利要求1所述的CoCrPt系合金溅射靶材,其特征在于:所述合金靶材的C含量<50ppm,O含量<50ppm,S含量<10ppm,N含量<10ppm。
6.根据权利要求1所述的CoCrPt系合金溅射靶材,其特征在于:所述合金溅射靶材的矫顽力在3500~4500Oe,所述合金靶材厚度在4~9mm的厚度时,其透磁率为50%~80%之间。
7.一种制备权利要求1所述的CoCrPt系合金溅射靶材的方法,包括:
(1)真空熔炼:将物料按化学计量比进行配料,所述CoCrPt系合金溅射靶材含有B元素,B元素的含量为0~20个原子百分比,真空熔炼为中频真空感应熔炼,所使用坩埚为氧化铝或氧化锆坩埚,浇铸温度为1500~1650℃,在浇铸前,熔体在坩埚中包括有至少1次的凝固过程;
(2)热等静压:所述铸锭需经过热等静压处理,温度800~1100℃,4N高纯Ar气氛,压力为150~200MPa,保温时间为1~3h;
(3)热机械加工:经过上述热等静压处理的锭坯进行热轧开坯,轧制温度为 800~1100℃,进行横纵交替轧制,轧制的道次变形量不大于10%;
(4)冷机械加工:经上述热机械加工的坯料需进行冷轧制和最终的机械加工成型,所述的冷轧制为纵向轧制,轧制的道次变形量不大于5%。
8.根据权利要求7所述的CoCrPt系合金溅射靶材的制备方法,其特征在于:还包括CoB中间合金制备的工序;
所述的CoCrPt系合金靶材为Co11.5Cr22Pt10B或Co13Cr16Pt10B,所述合金靶材还含有Si,Ti,Ta,Y,Zr等元素中的一种或几种,
所述真空感应熔炼过程中在浇铸之前需要有两次的凝固过程,第一次凝固时间不低于5分钟,第二次凝固的时间不低于15分钟。
9.一种Co11.5Cr22Pt10B溅射靶材的制备方法,其特征在于含有以下工艺步骤:
(1)原料准备:选用3N5以上的Co,Cr,Pt以及C含量<100ppm的B作为原料;(2)中间合金制备:根据合金的名义含量采用真空感应熔炼法制备Co80B20(原子百分比)的中间合金;
(3)合金铸锭的制备:使用上述中间合金,根据名义成份Co11.5Cr22Pt10B进行配料,采用真空感应熔炼法制备合金铸锭,先抽真空到1×10-1Pa以下,然后逐渐升温开始熔化物料,当物料全部熔化后,通氩气,停止加热,开始凝固物料,凝固约5~20min,然后继续升温,当物料全部熔化后,将铸锭浇注到模具中;
(4)热等静压处理:在800~1000℃下,100~200MPa,3N5以上高纯氩气保护环境下对铸锭进行热等静压处理,处理时间为1~5h;
(5)冷热机械加工:将上述处理后的铸锭在900~1100℃进行热轧,轧制的道次变形量为5%~8%,热轧总的变形量为40%~50%,轧制过程中进行横纵交替轧制;将热轧后的坯料进行冷轧处理,轧制的道次变形量为3%~5%,冷轧总的变形量 为20~30%,最终将上述坯料加工到所需要产品尺寸。
10.一种使用权利要求1所述的CoCrPt系合金溅射靶材制备的磁记录介质,所述磁记录介质包括基底层,粘结层,软磁层,中间层和磁记录层,其特征在于:所述磁记录介质的矫顽力为3000~5000Oe,方形度为0.80~095,所述磁记录层的颗粒尺寸4~10nm,薄膜表面粗糙度为2~5nm。
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