[发明专利]纳米银线导电层叠结构及电容式触控面板

说明书

本发明涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构。该纳米银线导电层叠结构包括：一可挠性基材，一纳米银线导电电极层，置于所述可挠性基材表面及一增粘层，置于所述可挠性基材和纳米银线导电电极层之间，用于增加所述可挠性基材与所述纳米银线导电电极层的附着力。现有的纳米银线导电层叠结构，纳米银线之间的搭接不良或游移会影响其导电率，通过提供增粘层，增强了纳米银线导电电极层和基材的附着力，本发明还提供一种采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

【技术领域】

本发明涉及一种导电层叠结构，特别涉及一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

【背景技术】

伴随近年来触控面板在通讯行业的迅速崛起，特别是在手机通讯行业的蓬勃发展，触控面板一举成为现今成像显示设备的首选产品。使用率最高的触控面板主要是电阻式触控面板和电容式触控面板，但是使用者出于可控性，易用性和表面外观的考虑，大多会选用电容式触控面板作为其最佳首选设备。

在传统智能手机的电容式触控面板中，触控电极的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好。但随着触控面板尺寸的逐步增大，特别是应用于15寸以上的面板时，ITO的缺陷越来越突出，其中最明显的缺陷就是ITO的面电阻过大，价格昂贵，无法保证大尺寸触控面板良好的导电性能与足够的灵敏度，也无法适用于电子产品不断低价化的发展趋势。

另外，在制造方法上，原来的ITO需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。而且，ITO薄膜非常脆弱，即使在遇到较小物理应力的弯曲也非常容易被破坏，因此在可穿戴设备逐渐崛起的新兴产品市场的浪潮下，ITO材料作为导电电极已无法应付市场的需求而逐渐被淘汰。

正因如此，产业界一直在致力于开发ITO的替代材料，目前逐渐被开发并应用的替代材料包括纳米银线(Silver Nano Wires，简称SNW)、金属网格(Metal Mesh)、碳纳米管、有机导电膜、以及石墨烯等。

其中，SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选地替代ITO作为触控电极的材料。

一般的纳米银线触控面板，将纳米银线直接涂布在基材上，纳米银线之间仅凭较弱的分子间作用力搭接在一起，容易在曲挠作用下发生滑移，接触电阻较高和较不稳定，并且涂布形成均匀薄膜时存在一定的工艺技术困难。导电率是纳米银线触控面板的一个重要参数，然而纳米银线搭接的牢固程度直接影响银线的导电率。通常纳米银线与基材的附着越牢，纳米银线之间的搭接则更为良好。

一般而言，成膜制造工艺在进行时，常会伴随温度的变化，而可挠性基材具有较大的膨胀系数，在升温降温的过程当中常会有显著的体积变化，常因为粘着于硬质基材上的可挠性基材的膨胀或收缩而使可挠性基材产生翘曲或变形。

【发明内容】

为克服纳米银线导电电极层与基材之间的附着力问题，以及在成膜制造工艺中因可挠性基材的膨胀引起的翘曲或变形等问题，本发明提供了一种纳米银线导电层叠结构及采用该纳米银线导电层叠结构的电容式触控面板。

本发明解决技术问题的方案是：提供一种纳米银线导电层叠结构，其包括，一可挠性基材，一纳米银线导电电极层，置于所述可挠性基材表面，及一增粘层，置于所述可挠性基材和纳米银线导电电极层之间，用于增加所述可挠性基材与所述纳米银线导电电极层的附着力，所述增粘层的热膨胀系数小于可挠性基材的热膨胀系数，所述增粘层包括一高折射率光学膜，置于所述可挠性基材表面，高折射率光学膜的折射率大于1.8；及一低折射率光学膜，置于所述高折射率光学膜表面，其中低折射率光学膜的折射率小于1.6。

优选地，所述纳米银线导电电极层的厚度为10nm-200nm。