[发明专利]半导体及其制造方法

说明书

一种半导体及其制造方法，其中所述半导体器件，包括形成在硅衬底的表面之上并包括纵向MOSFET的有源单元区，形成在所述硅衬底的表面之上并从硅衬底的背面引出纵向MOSFET的漏极的漏极电极，在漏极电极之上形成的外部漏极端子，以及形成在所述有源单元区之上，以便至少沿着所述有源单元区之上的外部漏极端子的外周的三个侧面与漏极电极相对并连接到纵向MOSFET的源极的源极电极。

相关申请的交叉引用

于2013年6月13日提交的日本专利申请号2013-124656的包含说明书、附图和摘要的公开内容以其全文并入本文作为参考。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件及其制造方法，并且其可以适当地被用于具有纵向晶体管的半导体器件及其制造方法。

背景技术

对于功率器件，例如用作针对大电流和高电压的功率开关的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)，通常使用纵向MOSFET。在纵向MOSFET中，源极电极和栅极电极形成在一侧(表面)，并且漏极电极形成在半导体衬底的另一侧(背面)，在该侧上漏极电流在半导体衬底的纵向方向上流过。

在功率MOSFET中，操作期间的电阻(导通电阻)应尽可能低，以便抑制功率消耗。因此，其中每单位面积的导通电阻被减小的纵向MOSFET已经通过形成沟槽中的栅极电极以及在纵向方向上形成沟道区来开发，从而缩小了彼此的栅极电极之间的距离并增加了密度。

进一步，在最近几年中，已经出现了其中纵向MOSFET的源极、栅极、和漏极的相应端子形成在半导体衬底的一侧(表面)上的表面漏极端子类型的芯片尺寸封装。这样的CSP结构的半导体器件被公开在，例如，日本未审专利申请公开号2002-353452，以及日本专利5132977和4646284中。

发明内容

如上所述，由于漏极端子形成在CSP结构的半导体器件的半导体衬底的表面的一侧上，其具有在半导体衬底的背面上的漏极电位下拉到表面的结构。因此，在漏极和源极之间的导通电阻Rds(导通)包括形成MOSFET的有源单元区的电阻(源极区的电阻)，连同用于引出漏极的漏极引出区的电阻(漏极区的电阻)，并且，进一步地，在从有源单元区向漏极引出区中的半导体衬底的横向方向上的电阻分量。

因此，现存的半导体器件存在的问题在于导通电阻由于将漏极引出到半导体衬底的表面的结构而增加。

其他主题和新颖特征将通过阅读本说明书与附图相结合的描述而变得明显。

根据本发明的一个方面，半导体器件包括有源单元区、漏极电极、外部漏极端子、和源极电极。有源单元区形成在半导体衬底的表面之上，并包括纵向晶体管。漏极区形成在所述半导体衬底的表面之上，并从半导体衬底的背面引出漏极。外部漏极端子被形成在所述漏极电极之上。源极电极形成，以便至少沿所述外部漏极端子的外周的三个侧面在有源单元区之上与漏极电极相对，并且连接到纵向晶体管的源极。

根据本发明的一个方面，半导体器件的导通电阻的增加可以得到抑制。

附图说明

图1是图示根据第一实施例的半导体器件的配置示例的平面图；

图2是表示根据第一实施例在安装基板上用于安装半导体器件的互连的示例的图；

图3是图示根据第一实施例的半导体器件的平面结构示例的平面图；

图4是图示根据第一实施例的半导体器件的平面结构示例的一部分的放大平面图；

图5是图示根据第一实施例的半导体器件的横截面结构示例的横截面视图；

图6是图示根据第一实施例的半导体器件的横截面结构示例的一部分的放大横截面视图；