[发明专利]一种平面型VDMOS器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410265019.9 | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN105226081A | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 马万里 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 平面 vdmos 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种平面型VDMOS的制造方法，其特征在于，包括：在外延层上生长栅氧化层；在所述的栅氧化层上生长不掺杂的多晶硅层；将所述多晶硅层刻蚀成分段结构；将所述分段后的多晶硅层进行氧化；在所述外延层上，制作第二导电类型阱区和第一导电类型源区；在所述外延层上生长介质层并形成接触孔；向所述接触孔中注入离子，形成第二导电类型深体区；制作金属层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，把所述分段结构中不作为栅极的多晶硅层和作为栅极的多晶硅层隔离开。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述多晶硅层氧化后生成二氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的制作第二导电类型阱区和第一导电类型源区，具体为：
向除所述的不作为栅极多晶硅层以外的部分注入硼离子形成P-体区；
向除所述的不作为栅极多晶硅层以外的部分注入磷离子形成N型源区。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，向所述的接触孔中注入P型离子，形成P+区。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述栅氧化层的生长温度为900～1100℃，生长厚度为0.05～0.2um；
所述的多晶硅层生长温度为500～700℃，生长厚度为0.3～0.8um；
所述的氧化层的生长温度为900～1100℃，生长厚度为0.05～0.2um。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的多晶硅层为不掺杂的多晶硅。
8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述的分段后的多晶硅层被所述氧化层隔离开。
9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，
所述的注入的硼离子剂量为1.0E13～1.0E15个/cm2，能量为80KEV～120KEV；
所述的注入的磷离子剂量为1.0E15～1.0E16个/cm2，能量为100KEV～150KEV；
所述的注入的P型离子为硼离子，剂量为1.0E14～1.0E16个/cm2，能量为80KEV～120KEV。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的介质层结构为不掺杂的0.2um二氧化硅与0.8um磷硅玻璃。
11.一种平面型VDMOS器件，包括外延层，生长在所述外延层上的栅氧化层，多晶硅层，生长在多晶硅层的氧化层，第二导电类型阱区，第一导电类型源区，第二导电类型深体区以及介质层、接触孔和金属层，其特征在于：
所述多晶硅层为分段结构。
12.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，分段结构中包含不作为栅极的多晶硅层和与其不相连的作为栅极的多晶硅层。
13.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述生长在多晶硅层的氧化层为二氧化硅层。
14.根据权利要求11所述的器件，其特征在于，所述的制作第二导电类型阱区和第一导电类型源区，具体为：
向除所述的不作为栅极多晶硅层以外的部分注入硼离子形成P-体区；
向除所述的不作为栅极多晶硅层以外的部分注入磷离子形成N型源区。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410265019.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
