[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 201410265472.X | 申请日： | 2014-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN104934302B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 周国耀 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 孔洞 硬掩模 图案化光阻层 移除 半导体器件 填充材料 基底 掩模 填充材料填满 高密度图案 单次曝光 孔洞排列 填满 制作 接续 覆盖 | ||
1.一种半导体器件的制作方法，包含：
提供一基底，一硬掩模和一图案化光阻层覆盖所述基底，其中所述图案化光阻层包含至少四个第一孔洞，所述第一孔洞排列成两列两行；
以所述图案化光阻层为掩模，移除部分的所述硬掩模以在所述硬掩模中形成至少四个第二孔洞；
扩大各所述第一孔洞；
以一填充材料填满各所述扩大的第一孔洞以及填满各所述第二孔洞，其中所述填充材料和所述硬掩模由不同的材料形成；
完全移除所述图案化光阻层并且曝露出部分的所述硬掩模；
以所述填充材料为掩模，移除部分的所述硬掩模，以在所述硬掩模中形成至少四个第四孔洞；以及
完全移除所述填充材料。
2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其中在各所述第一孔洞扩大之后，各所述扩大的第一孔洞互相连通，并且所述硬掩模由所述扩大的第一孔洞曝露出来。
3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其中在完全移除所述图案化光阻层之后，所述填充材料形成四个柱状元件，所述柱状元件定义出一第三孔洞，并且所述硬掩模由所述第三孔洞曝露出来。
4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其中所述第四孔洞被所述四个第二孔洞环绕。
5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，还包含：在完全移除所述填充材料后，以所述硬掩模为掩模，刻蚀所述基底。
6.一种半导体器件的制作方法，包含：
提供一硬掩模，一图案化光阻层覆盖所述硬掩模，其中所述图案化光阻层包含多个第一孔洞，所述第一孔洞排列成多列和多行；
以所述图案化光阻层为掩模，移除部分的所述硬掩模以在所述硬掩模中形成多个第二孔洞，所述第二孔洞排列成多列和多行；
扩大各所述第一孔洞，其中扩大的各所述第一孔洞彼此互相连通；
以一填充材料填满各所述扩大的第一孔洞以及填满各所述第二孔洞，其中所述填充材料和所述硬掩模由不同的材料形成；
完全移除所述图案化光阻层并且曝露出部分的所述硬掩模；以及
以所述填充材料为掩模，移除部分的所述硬掩模以在所述硬掩模中形成多个第三孔洞。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其中所述第一孔洞和所述第三孔洞形成交错图案。
8.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，还包含在所述第三孔洞形成之后，完全移除所述填充材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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