[发明专利]一种用于量子点增强膜的增透膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201410267257.3 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104049410A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 李福山;郭太良;吴薇;聂晨;林健 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G02F1/13357 | 分类号： | G02F1/13357 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 量子 增强 增透膜 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的量子点增强膜设有增透膜，该增透膜位于量子点增强膜的入光面上，厚度为50nm-200nm。
2.根据权利要求1所述的用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜为单层或多层。
3.根据权利要求1所述的用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜由不同材料层叠构成。
4.根据权利要求3所述的用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜其材料包括氟化镁或二氧化硅。
5.根据权利要求1所述的用于量子点增强膜的增透膜，其特征在于：所述的增透膜其厚度为光源在增透膜介质中波长的1/4。
6.一种制备如权利要求1所述的用于量子点增强膜的增透膜的方法，其特征在于：包括电子束蒸发或磁控溅射的方法。
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