[发明专利]一种用于量子点增强膜的增透膜及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于量子点增强膜的增透膜及其制备方法。

背景技术

经过半个世纪的发展和研究，液晶显示器（LCD）已经成为主导的平板显示技术。由于LCD本身不发光，所以它们需使用背光源。为了拓宽LCD的色域，已经发展了几种新型的背光源技术。

冷阴极荧光灯（CCFL）曾经是最普遍的背光源，但是它只可以实现75%NTSC的色域，所以为了得到更宽的色域、更高的亮度和更低的能耗，白色发光二极管（WLED）迅速代替了CCFL的位置，成为主要的背光源。但是基于WLED的背光源，其亮度和对比度还相对较低。所以，研究人员致力于发展更新的背光源技术来改善这些问题。

近年来，一种使用量子点光学膜实现高色域LCD的量子点增强膜（QDEF）的新型产品被越来越多的关注。QDEF是一种添加了两种量子点的光学薄膜，两种量子点可以在蓝光照射下产生红光和绿光，与一部分透过的蓝光混合之后得到白光。量子点比人类发丝还要小10000倍，其发出的光是在一个特定的波长下产生的。通过控制量子点的光谱输出，QDEF产品可以使用薄膜上数万亿的量子点来增强色彩和亮度。新型QDEF产品利用量子点技术，能够提供精准的色谱和色纯度，通过很少的背光改造，可以实现在传统的LCD显示器上达到60%到110%NTSC的色域，同时由于量子点高于荧光粉的光转化效率，所以利用QDEF实现的高色域显示器的背光效率也会大幅度提高。

由于引入了QDEF层，蓝光通过QDEF层时，会出现一部分的光学损耗，所以在蓝色发光二极管及QDEF之间，即QDEF的入光面镀上增透膜，来减少这部分衰减，以减少器件的光学损耗，提高器件的流明效率。

发明内容

为了克服现有基于QDEF的背光源存在的光学损耗，本发明提供一种用于量子点增强膜（QDEF）的增透膜的及其制备方法。在QDEF的入光面上镀上增透膜，有效的减少了由于QDEF的引入导致液晶显示器的光学损耗，提高了透光率和流明效率。

为实现本发明目的，本发所采用的技术方案是：

一种用于量子点增强膜（QDEF）的增透膜，所述的量子点增强膜设有一层增透膜，该增透膜位于QDEF的入光面上，厚度为50nm-200nm。

该增透膜可以是单层也可以是多层。

该增透膜可以是由不同厚度和不同材料层叠构成。

该增透膜的材料包括氟化镁或二氧化硅。  

该增透膜的厚度为光源在增透膜介质中波长的1/4。

该增透膜的制备方法包括电子束蒸发或磁控溅射的方法。

本发明的有益效果是：

本发明提供的一种用于量子点增强膜（QDEF）的增透膜，由于在其入光面镀有一定厚度的增透膜，可减少反射光，从而减少光的损耗，可有效增加透光率；因而采用该QDEF可减少由于QDEF的引入导致液晶显示器的光学损耗，提高流明效率。

附图说明

图1是用于量子点增强膜（QDEF）的增透膜的结构图。

具体实施方式

本发明用下列实施例来进一步说明本发明，但本发明的保护范围并不限于下列实施例。

实施例1

本发明的一种用于量子点增强膜（QDEF）的增透膜的实施方式如图1所示，其中3和5为阻挡层，4为量子点层。该量子点增强膜6包括增透膜1。该增透膜1形成于量子点增强膜6的入光面2上。

在本实施例中，增透膜1为单层，选择氟化镁为增透膜1的材料，其折射率为1.38，通过计算，确定该增透膜1的厚度为86.05nm。将量子点增强膜6放入腔体中，抽真空，当真空度达到3*10^-3时，采用电子束蒸发的方式将氟化镁薄膜蒸镀在在该量子点增强膜1的入光面2上。通过测试比较，与现有技术相比，当入射光为475nm的蓝光时，图1的具有增透膜1的QDEF的透光率明显提高，流明效率明显增加。透光率增加了约1.3%~1.9%，流明效率增加了0.5%~0.7%。

试验表明，在现有技术的QDEF入光面上镀上增透膜，可使得该量子点增强膜的透光率大幅度提高，从而使得其流明效率增加。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。