[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

发光结构，其包括第一导电类型半导体层、设置在所述第一导电类型半导体层上的有源层和设置在所述有源层上的第二导电类型半导体层；

第一电极，其设置在所述第一导电类型半导体层上；以及

第二电极，其具有焊盘区和从所述焊盘区延伸的指区，其中，所述第二电极包括：

透明电极部件，其设置在所述第二导电类型半导体层上，并具有设置在所述焊盘区和所述指区中的开口；

反射部件，其设置在所述焊盘区和所述指区中的透明电极部件的开口中的第二导电类型半导体层上，并在所述开口中与所述透明电极部件分隔开；以及

接合部件，其包括：多个接合指部件，其设置在所述指区中的反射部件上并彼此分隔开；以及接合焊盘部件，其设置在所述焊盘区中的反射部件上，其中，所述接合焊盘部件覆盖所述焊盘区中的透明电极部件的开口，并延伸至所述透明电极部件上，并且所述接合焊盘部件在所述焊盘区中的透明电极部件的开口中介于所述透明电极部件与所述反射部件之间。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多个接合指部件延伸跨过所述指区中的透明电极部件的开口并延伸至所述透明电极部件上，并且

所述多个接合指部件在所述指区中的透明电极部件的开口中介于所述透明电极部件与所述反射部件之间。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多个接合指部件中的每一个接合指部件与所述多个接合指部件中的相邻接合指部件分隔开预定距离。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述接合部件还包括连接部件，其从所述接合焊盘部件延伸，并连接所述接合指部件。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述接合指部件在所述指区从所述焊盘区延伸的第一方向上具有第一宽度，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第二宽度，并且

其中，所述第二宽度大于所述第一宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体发光器件，其中，所述接合焊盘部件的面积大于所述接合指部件中的每一个接合指部件的面积，并且所述接合焊盘部件具有圆形形状，该圆形形状具有大于所述接合指部件的第二宽度的第三宽度。

7.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括电流阻挡层，其在所述焊盘区中的透明电极部件的开口中介于所述反射部件与所述第二导电类型半导体层之间。

8.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极包括：

第一反射部件，其设置在所述第一导电类型半导体层上；以及

第一接合部件，其设置在所述第一反射部件上。

9.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一电极具有第一焊盘区和从所述第一焊盘区延伸的第一指区，并且

所述第一电极包括：

第一反射部件，其设置在所述第一导电类型半导体层上，所述第一反射部件包括布置在所述第一焊盘区中的反射焊盘部件和布置在所述第一指区中并彼此分隔开的多个反射指部件；以及

第一接合部件，其设置在所述第一焊盘区和所述第一指区中的第一反射部件上。

10.根据权利要求9所述的半导体发光器件，其中，所述第一接合部件设置在所述多个反射指部件之间的第一导电类型半导体层上。

11.根据权利要求1所述的半导体发光器件，还包括光漫射层，其设置在所述第一导电类型半导体层上，并暴露出所述第一导电类型半导体层的一部分，

其中，所述第一电极包括：

第一反射部件，其设置在所述光漫射层和所述第一导电类型半导体层的暴露部分上；以及

第一接合部件，其设置在所述第一反射部件上。