[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体发光器件及其制造方法。所述半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。所述器件还可包括：第一电极，其连接至第一导电类型半导体层；和第二电极，其连接至第二导电类型半导体层并具有焊盘区和在一个方向上从焊盘区延伸的指区。第二电极可包括：透明电极部件，其布置在第二导电类型半导体层上，并在其中包括至少一个开口；至少一个反射部件，其在所述开口中与透明电极部件分隔开，并且设置在焊盘区和指区中；以及接合部件，其布置在反射部件的至少一部分上，并包括在指区中彼此分隔开的多个接合指部件和设置在焊盘区中的接合焊盘部件。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2013年6月17日提交于韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2013-0069192的优先权，该申请的公开以引用方式并入本文中。

技术领域

与示例性实施例一致的器件和方法涉及半导体发光器件及其制造方法。

背景技术

半导体发光器件是这样一种半导体器件，由于当电流施加至该半导体器件时电子和空穴在其p型半导体层和n型半导体层之间的接合部分处复合，该半导体器件能够发射各种颜色的光。与基于灯丝的发光器件相比，半导体发光器件具有各种优点，诸如相对长的寿命、低功耗、卓越的初始驱动特征和高抗振性。因此，对半导体发光器件的需求持续增加。具体地说，能够发射单波长区的蓝光的第III族氮化物半导体近来尤为突出。

通过在衬底上生长包括n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层以及形成在它们之间的有源层的发光结构来获得利用这种第III族氮化物半导体的发光器件。在这种情况下，可在发光结构的表面上形成电极，以便将外部电信号施加至所述结构。随着对大功率和高效率半导体发光器件的需求增加，需要能够防止光反射率劣化并显著减小电流浓度的电极结构。

发明内容

示例性实施例提供了一种半导体发光器件及其制造方法，所述半导体发光器件通过显著减小光吸收和有效地分布电流而具有改进的亮度。

根据示例性实施例的一方面，提供了一种半导体发光器件，其包括：发光结构，其包括第一导电类型半导体层、设置在第一导电类型半导体层上的有源层和设置在有源层上的第二导电类型半导体层；第一电极，其设置在第一导电类型半导体层上；以及第二电极，其具有焊盘区和从焊盘区延伸的指区，其中，第二电极包括：透明电极部件，其设置在第二导电类型半导体层上，并具有设置在焊盘区和指区中的开口；反射部件，其设置在焊盘区和指区中的透明电极部件的开口中的第二导电类型半导体层上，并在开口中与透明电极部件分隔开；以及接合部件，其包括：多个接合指部件，其设置在指区中的反射部件上并彼此分隔开；以及接合焊盘部件，其设置在焊盘区中的反射部件上。

接合焊盘部件可覆盖焊盘区中的透明电极部件的开口，并延伸至透明电极部件上。

接合焊盘部件在焊盘区中的透明电极部件的开口中可介于透明电极部件与反射部件之间。

所述多个接合指部件可延伸跨过指区中的透明电极部件的开口并延伸至透明电极部件上。

所述多个接合指部件在指区中的透明电极部件的开口中可介于透明电极部件与反射部件之间。

所述多个接合指部件中的每一个接合指部件可与所述多个接合指部件中的相邻接合指部件分隔开预定距离。

接合部件还可包括连接部件，其从接合焊盘部件延伸，并连接接合指部件。

接合指部件在指区从焊盘区延伸的第一方向上可具有第一宽度，并且在垂直于第一方向的第二方向上可具有第二宽度，并且其中，第二宽度大于第一宽度。

接合焊盘部件的面积可大于接合指部件中的每一个接合指部件的面积，并且接合焊盘部件可具有圆形形状，该圆形形状具有大于接合指部件的第二宽度的第三宽度。