[发明专利]校正触控面板边缘的坐标值的方法与触控装置有效

专利信息
申请号: 201410268064.X 申请日: 2014-06-16
公开(公告)号: CN105159484B 公开(公告)日: 2018-02-13
发明(设计)人: 刘子维 申请(专利权)人: 晨星半导体股份有限公司
主分类号: G06F3/041 分类号: G06F3/041;G06F3/044
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司31100 代理人: 徐伟
地址: 中国台湾新竹县*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 校正 面板 边缘 坐标 方法 装置
【说明书】:

技术领域

本发明系关于触控面板,特别系关于校正触控面板边缘的坐标值的方法与装置。

背景技术

触控面板是规模庞大的一项产业,各式各样的电子产品都使用触控面板作为人机接口的重要输出入装置。触控面板的性能,取决于感测电极与连接感测电极的逻辑电路。感测电极的设计与质量,会影响到触控面板的性能。

一般来说,触控面板的感测电极形成在一透明基板上。显示装置所发出的光可以透过该透明基板显示给使用者观看。形成在透明基板上的感测电极包含多个电极,这些电极透过多个导线连接到逻辑电路。触控面板即透过侦测感测电极上的微弱电流,据以得知触控面板上所发生的近接(靠近与接触)事件。

感测电极通常包含多个感测电极单元。在触控面板中央的每一个感测电极单元旁边都有其它的感测电极单元,因此触控面板的处理模块在使用某一种算法计算发生在触控面板中央的近接事件时,所计算出来的坐标结果与近接事件的真实坐标的误差不大。但是对于位在触控面板边缘的感测电极单元而言,由于其至少有一边没有其它的感测电极单元,如果套用同一种算法来计算发生在接近触控面板边缘的近接事件时,所计算出来的坐标结果与近接事件的真实坐标的误差就会变大。

因此,迄需一种可以用来补偿算法误差的方法,使得触控面板得以较为正确地计算出发生在接近触控面板边缘的近接事件坐标。

发明内容

在本发明的一实施例中,提供一种校正触控面板边缘的一坐标值的方法。该方法包含:提供一查找表,其包含对应到多个电容变化总和的平方根的多个第一线性函数的斜率与起始点;计算发生在触控面板边缘的一近接事件所对应的一计算坐标与一电容变化总和的平方根;根据该计算坐标与电容变化总和的平方根,自该查找表所包含的多条第一线性函数当中选出一条第一线性函数;以及根据该条第一线性函数与该计算坐标计算出一真实坐标。

在本发明的另一实施例中,提供一种可校正触控面板边缘的一坐标值的触控装置。该触控装置包含:一内存模块与一处理模块。该内存模块,包含一查找表,其包含对应到多个电容变化总和的平方根的多个第一线性函数的斜率与起始点。该处理模块连接至该触控面板与该内存模块,该处理模块用于执行下列步骤:计算发生在触控面板边缘的一近接事件所对应的一计算坐标与一电容变化总和的平方根;根据该计算坐标与电容变化总和的平方根,自该查找表所包含的多条第一线性函数当中选出一条第一线性函数;以及根据该条第一线性函数与该计算坐标计算出一真实坐标。

总上所述,本发明的主要精神之一,系使用多个线性函数来逼近一条曲线,利用少量的计算来减少存储器的消耗,从而得到相似的校正值。

附图说明

图1为本发明一实施例的一触控装置的一示意图。

图2为根据本发明一实施例的X轴坐标误差值的一示意图。

图3A为根据本发明一实施例的电容变化总和的平方根的查找表。

图3B为根据本发明一实施例的X轴误差值的查找表。

图3C为根据本发明一实施的一X轴真实坐标的查找表。

图4A为根据本发明一实施例的X轴计算坐标对X轴真实坐标的一示意图。

图4B为根据本发明一实施例的X轴计算坐标对投影面积的一示意图。

图5A为根据本发明一实施例的存储器内容的一示意图。

图5B为根据本发明一实施例的存储器内容的一示意图。

图6为根据本发明一实施例的校正方法。

图7A为根据本发明一实施例的校正X轴坐标的一示意图。

图7B为根据本发明另一实施例的校正X轴坐标的一示意图。

具体实施方式

本发明将详细描述一些实施例如下。然而,除了所揭露的实施例外,本发明的范围并不受该些实施例的限定,乃以其后的申请专利范围为准。而为了提供更清楚的描述及使该项技艺的普通人员能理解本发明的发明内容,图示内各部分并没有依照其相对的尺寸进行绘图,某些尺寸或其它相关尺度的比例可能被凸显出来而显得夸张,且不相关的细节部分并没有完全绘出,以求图示的简洁。

请参考图1所示,其为本发明一实施例的一触控装置100的一示意图。该触控装置100包含一触控面板110。该触控面板110包含一基板与形成于该基板的多个感测电极组120。该多个感测电极组120连接到一处理模块130。该处理模块130内包含必要的电路并且连接到一内存模块140。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晨星半导体股份有限公司,未经晨星半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410268064.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top