[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明是有关于一种封装结构，且特别是有关于一种发光二极管封装结构。

背景技术

近年来，由于发光二极管的发光亮度与发光效率持续地提升，所以逐渐有发光二极管被使用作为照明用途，并开始有将发光二极管封装结构应用于灯源(如灯泡、路灯、手电筒等)或是相关照明设备被开发出来。

然而，发光二极管属于正向发光的发光元件，也就是发光二极管所发出的光线朝向其法线方向射出。因此，发光二极管所发出的光线在其法线方向有最大的发光亮度，且其发光亮度从发光二极管的法线方向朝向法线的两侧逐渐降低至零。换言之，发光二极管的外侧的光线强度较弱，甚至在发光角度较大的外侧区域完全没有光线，进而限制了发光二极管的应用。因此，如何增加发光二极管的发光角度，也逐渐成为发展发光二极管技术中值得关注的焦点。

发明内容

本发明提供一种发光二极管封装结构，其具有较大的发光角度。

本发明的发光二极管封装结构包括基板、至少一发光二极管芯片以及封装胶体。发光二极管芯片配置于基板上。封装胶体配置于基板上，并且覆盖发光二极管芯片。封装胶体具有多个弧形表面，弧形表面分别具有相对远离基板的最高点，且弧形表面之间定义出多个凹陷区。发光二极管芯片在基板上的正投影与最高点的连线所围成的区域在基板上的正投影至少部分重叠。每一凹陷区相对邻近基板的最低点至基板的垂直距离为T，而每一弧形表面具有与基板相连接的弧形边缘，且弧形边缘的半径为R，最高点相对于基板的最大垂直高度为H，T/R＝0.2～0.9且H/R＝0.1～2，以使发光二极管封装结构的发光半角大于130度。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管芯片在基板上的正投影与凹陷区在基板上的正投影重叠。

在本发明的一实施例中，上述的每一弧形表面为曲率连续的弧形表面。

在本发明的一实施例中，上述的弧形表面的曲率半径相同。

在本发明的一实施例中，上述的弧形表面的曲率半径不同。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管芯片的边长为L，而R/L＝0.25～20。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管封装结构还包括至少一荧光胶层，配置于发光二极管芯片的上方，其中荧光胶层位于封装胶体与发光二极管芯片之间。

在本发明的一实施例中，上述的发光二极管封装结构还包括荧光罩，配置于发光二极管芯片的上方，且荧光罩包覆发光二极管芯片与封装胶体。

在本发明的一实施例中，上述的荧光罩与封装胶体之间存在有空气间隙。

在本发明的一实施例中，上述的T/R＝0.565～0.8。

基于上述，本发明的发光二极管封装结构的封装胶体具有凹陷区。封装胶体的最高点相对于基板的最大垂直高度为H，凹陷区相对邻近基板的最低点至基板的垂直距离为T，且弧形表面具有与基板相连接的弧形边缘，弧形边缘的半径为R，T/R＝0.2～0.9且H/R＝0.1～2。上述封装胶体覆盖发光二极管芯片，且发光二极管芯片在基板上的正投影与弧形表面的最高点的连线所围成的区域在基板上的正投影至少部分重叠，可使发光二极管芯片所发出的光线穿透封装胶体后的发光半角(half angle)超过130度。据此，本发明的发光二极管封装结构具有较大的发光角度。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是本发明一实施例的发光二极管封装结构的示意图；

图2是图1的发光二极管封装结构的侧视图；

图3是图1的发光二极管封装结构的俯视图；

图4是本发明再一实施例的发光二极管封装结构的侧视图；

图5是本发明又一实施例的发光二极管封装结构的侧视图。

附图标记说明：

200、200a、200b：发光二极管封装结构；

210：基板；

220：发光二极管芯片；

230、230a：封装胶体；

232、232a：弧形表面；

234：最高点；

236：凹陷区；

236a：最低点；

238：弧形边缘；

240：荧光罩；

250：荧光胶层；

B：区域；

G：空气间隙；

H：最大垂直高度；

L：边长；

R：半径；

T：垂直距离。