[发明专利]一种用于多晶硅铸锭的脱模层、多晶硅铸锭方法及铸锭用坩埚

权利要求书

1.一种用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述脱模层设置于铸锭用坩埚内壁的表面，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在99.99％以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为0.1mm～2mm。

2.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述高纯硅化物薄片为纯度在99.99％以上的高纯氮化硅陶瓷片、高纯碳化硅陶瓷片、高纯石英陶瓷片和高纯石英玻璃中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述脱模层由底部脱模模块和侧壁脱模模块组成。

4.根据权利要求3所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述底部脱模模块为与坩埚底部的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。

5.根据权利要求3所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述侧壁脱模模块为与坩埚侧壁的大小和形状一致的高纯硅化物薄片，或者为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体。

6.根据权利要求4或5所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，当所述底部脱模模块或侧壁脱模模块为多块高纯硅化物薄片的拼接组合体时，所述高纯硅化物薄片的形状为正方形、长方形或三角形。

7.根据权利要求3所述的用于多晶硅铸锭的脱模层，其特征在于，所述底部脱模模块的设置方式为在坩埚底部自然放置或者贴合设置，所述侧壁脱模模块的设置方式为贴合设置。

8.一种多晶硅锭的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)在坩埚内壁设置脱模层，将硅料与坩埚内壁隔离，所述坩埚内壁包括坩埚底部和坩埚侧壁，所述脱模层的材质为纯度在99.99％以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为0.1mm～2mm；

(2)在坩埚底部脱模层的上方铺设籽晶层，在所述籽晶层的上方装载固态硅料；

(3)对所述坩埚进行加热，并控制所述籽晶层不被完全熔化；

(4)控制所述坩埚内的温度沿垂直于所述坩埚底部向上的方向逐渐上升形成温度梯度，使得所述熔融状态的硅料在未熔化的籽晶上结晶生长准单晶硅锭；

(5)长晶结束后，脱模得到准单晶硅锭。

9.一种多晶硅铸锭用坩埚，其特征在于，所述坩埚包括本体和脱模层，所述本体包括底座及由底座向上延伸的侧壁，所述底座和所述侧壁共同围成一收容空间，所述脱模层设置在朝向所述收容空间的所述本体底座和侧壁表面，所述脱模层的材质为纯度在99.99％以上的高纯硅化物薄片，所述脱模层的厚度为0.1mm～2mm。