[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底；

所述半导体衬底上形成有沿第一方向延伸的多个有源区；

在所述有源区上形成跨越多个所述有源区沿第二方向延伸的控制栅极线，其中所述第二方向和所述第一方向垂直；

形成定义有切割区图案的切割掩膜，对所述切割区内的所述控制栅极线进行蚀刻，至少完全去除有源区上方的所述控制栅极线，以避免字线桥接问题。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在相邻所述有源区之间还形成有位于所述半导体衬底内的隔离结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述控制栅极线的材料为多晶硅。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述蚀刻工艺具有多晶硅对氧化物的高蚀刻选择比。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述有源区上均形成有浮置栅极。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述浮置栅极与所述控制栅极线之间形成有ONO介电层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述蚀刻还包括对所述切割区内多条所述控制栅极线的切割蚀刻。

8.一种采用权利要求1-7之一所述的方法制造的半导体器件。

9.一种电子装置，包括权利要求8所述的半导体器件。