[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置

说明书

本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，所述方法包括：提供半导体衬底；所述半导体衬底上形成有沿第一方向延伸的多个有源区；在所述有源区上形成跨越多个所述有源区沿第二方向延伸的控制栅极线，其中所述第二方向和所述第一方向垂直；形成定义有切割区图案的切割掩膜，对所述切割区内的所述控制栅极线进行蚀刻，至少完全去除有源区上方的所述控制栅极线。根据本发明的制造方法，通过改变控制栅极线的布局方向和切割掩膜的布局，更容易实现对控制栅极线切割后多晶硅残留的控制，避免了字线桥接问题的出现，进而提高了器件的性能和良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法和电子装置。

背景技术

半导体存储器装置愈来愈普遍地用于各种电子装置中。举例而言，非易失性半导体存储器可用在蜂窝式电话、数码相机、个人数字助理、移动计算装置、非移动计算装置及其它装置中。随着电子产业尤其是消费电子的迅猛发展,半导体存储装置的发展越来越成为电子科技发展的标杆之一。从最初的以DRAM(即动态随机存储器)占主导到现在以FlashMemory(即非易失闪存记忆体)为最大阵营；半导体存储器的发展速度不断挑战着摩尔定律，转眼间NAND Flash来到了3X纳米时代，更甚至是跨入了2X纳米时代。

然而在3xnm NAND存储器的制作过程中，经常会产生一种特殊的失效模式——字线桥接(Word Line Bridge)，造成字线桥接的一个原因是，利用双重图形技术，对存储阵列中的P2切割区域中与有源区平行的多晶硅控制栅极线进行切割后，大量多晶硅残留在隔离结构上方，导致字线桥接问题的出现的风险极大。

因此，需要提出一种新的制作方法，以解决上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

针对现有技术的不足，本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：

提供半导体衬底；

所述半导体衬底上形成有沿第一方向延伸的多个有源区；

在所述有源区上形成跨越多个所述有源区沿第二方向延伸的控制栅极线，其中所述第二方向和所述第一方向垂直；

形成定义有切割区图案的切割掩膜，对所述切割区内的所述控制栅极线进行蚀刻，至少完全去除有源区上方的所述控制栅极线。

可选地，在相邻所述有源区之间还形成有位于所述半导体衬底内的隔离结构。

可选地，所述控制栅极线的材料为多晶硅。

可选地，所述蚀刻工艺具有多晶硅对氧化物的高蚀刻选择比。

可选地，所述有源区上均形成有浮置栅极。

可选地，在所述浮置栅极与所述控制栅极线之间形成有ONO介电层。

可选地，所述蚀刻还包括对所述切割区内多条所述控制栅极线的切割蚀刻。

本发明还提供一种采用上述方法制造的半导体器件。

本发明另外还提供一种电子装置，包括上述的半导体器件。

综上所述，根据本发明的制造方法，通过改变控制栅极线的布局方向和切割掩膜的布局，更容易实现对控制栅极线切割后多晶硅残留的控制，避免了字线桥接问题的出现，进而提高了器件的性能和良率。

附图说明

本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。