[发明专利]一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备。

背景技术

目前，湿法刻蚀设备主要用于对金属以及铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，简称ITO)或铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，简称IGZO)等金属氧化物进行刻蚀。

实际生产中，随着刻蚀工艺的进行，刻蚀液中的金属离子的浓度越来越高，这样会对刻蚀反应造成不良的影响，引起刻蚀速率的改变。如果金属离子的浓度过高，湿法刻蚀的产品性能无法满足要求，便需要对所述刻蚀液进行及时的更换。

在此基础上，如果刻蚀液的更换频率过高，则会引起成生产本的提高；所述刻蚀液在更换之后还需重新加热，需要耗费一定的能量，这样也会导致生产成本的提高。此外，所述刻蚀液在更换前后的成份变化相对较大，由此可能导致刻蚀速率、刻蚀产品的关键尺寸及坡度角等参数发生改变，从而影响刻蚀工艺的稳定性。

发明内容

本发明的实施例提供一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备，可降低刻蚀液中杂质离子的浓度，避免刻蚀液的频繁更换，从而保证刻蚀工艺的稳定性，同时还能延长刻蚀液的使用寿命，从而降低成本。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

一方面，提供一种刻蚀液储液装置，所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极；其中，所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室，所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室。

可选的，所述离子交换膜为阳离子交换膜；其中，在所述阳极和所述阴极之间的电场作用下，所述刻蚀液中的金属离子从所述第一腔室通过所述阳离子交换膜进入到所述第二腔室。

进一步可选的，在所述金属离子为活泼金属的情况下，所述阳极和所述阴极均采用惰性电极；在所述金属离子为非活泼金属的情况下，所述阳极采用惰性电极，所述阴极采用与所述金属离子同等材质的电极。

进一步的，所述惰性电极包括碳电极。

可选的，所述阳离子交换膜、所述阳极和所述阴极均设置在所述刻蚀液存储罐的内部；所述刻蚀液存储罐上还设置有进液口和排液口；其中，所述进液口设置在所述第二腔室的顶部，所述排液口设置在所述第二腔室的底部。

进一步可选的，所述第一腔室的容积大于所述第二腔室的容积。

可选的，所述刻蚀液储液装置还包括位于所述刻蚀液存储罐外部的电渗析装置；所述阳离子交换膜、所述阳极和所述阴极均设置在所述电渗析装置的内部；其中，所述第一腔室的顶部和底部分别与所述刻蚀液存储罐的顶部和底部连通。

进一步可选的，所述刻蚀液储液装置还包括位于所述电渗析装置外部的废液罐；其中，所述第二腔室的底部与所述废液罐连通。

可选的，所述阳极和所述阴极采用棒状电极；或者，所述阳极和所述阴极采用面状电极。

可选的，所述阳极与直流电源的正极相连，所述阴极与直流电源的负极相连；其中，所述直流电源的功率可调。

优选的，所述刻蚀液储液装置还包括与所述刻蚀液存储罐相连的浓度管理器，用于对所述刻蚀液的各个组分浓度进行实时监控。

另一方面，提供一种湿法刻蚀设备，所述湿法刻蚀设备包括上述的刻蚀液储液装置。

本发明的实施例提供一种刻蚀液储液装置及湿法刻蚀设备，所述刻蚀液储液装置包括刻蚀液存储罐、用于将刻蚀液中的离子进行选择性透过的离子交换膜、以及位于所述离子交换膜两侧的阳极和阴极；其中，所述离子交换膜与所述阳极之间构成第一腔室，所述离子交换膜与所述阴极之间构成第二腔室。