[发明专利]一种改进产品标准的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体生产自动化控制领域，尤其涉及一种改进产品标准的方法。

背景技术

在目前半导体代工生产中，良率工程师主要对于产线产品扫描分析产品缺陷的来源和发生原因，但对于通常半导体生产操作中主要都是半自动操作，即为人工操作进行扫描，扫描到缺陷超标后由人工进行检查或者使用人工检查的方式进行操作，这样对于自动化运作来说，仍然需要工程师进行判断及在机台端检查才能保证每一个扫描超标的问题没有被遗漏。

全自动化生产中会使用到自动扫描机台以及自动晶片缺陷匹配确定缺陷类型的机台，所以需要有一定规则来判断和处理其中一些有问题的晶圆，并且将存在工程异常的晶圆通知相应的良率工程师处理，对于没有问题晶圆放行至下一流程。

中国专利(CN102890089A)记载了一种晶圆缺陷扫描方法，包括：统计得出流水线上某一站点的各个晶圆上的各个位置出现频率最高的单元像素以后赋予虚拟晶圆上的对应位置得到虚拟完美晶圆并保存所述虚拟完美晶圆；将保存的虚拟完美晶圆与所述流水线上某一站点的晶圆做对比，检测晶圆层面的缺陷。

中国专利(CN103531498A)记载了一种晶圆缺陷分析系统，包括：晶圆缺陷扫描库，用于存储设定时间内的晶圆扫描机台扫描的晶圆的缺陷扫描图，缺陷位置获取单元用于对所述位置信息进行排序，缺陷位置匹配单元用于对一个晶圆的缺陷扫描图中的一个缺陷的位置信息与另一个晶圆的缺陷扫描图的一个缺陷的位置信息进行匹配，并标记匹配组；缺陷组分析单元用获得缺陷组的位置信息；缺陷组关联性分析单元，用于对两个晶圆之间的缺陷组的位置信息进行关联性分析，缺陷标记单元用于将存在关联性的缺陷在缺陷扫描图中高亮显示。

上述两个专利均未记载有关良率扫描机台根据出现的缺陷进行判断并调整的技术特征。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种改进产品标准的方法。

本发明解决技术问题所采用的技术方案为：

一种改进产品标准的方法，应用于晶圆缺陷扫描，其中，该方法包括以下步骤：

步骤S1，对晶圆进行缺陷扫描，若所述晶圆没有超出标准，则放行进行下一步操作，若所述晶圆缺陷扫描超出设定规格，则操作系统报警，进行步骤S2；

步骤S2，良率工程师通过数据分析软件对报警的晶圆进行初步判断并选择进行重新测量或者增加晶圆扫描片数和微观检查；

步骤S3，根据步骤S2操作结果由良率工程师判断所述操作系统报警原因，并根据所述报警原因进行调整出现的缺陷。

上述的方法，其中，所述步骤S2中的重新测量即是重复一次相同的派工扫描。

上述的方法，其中，所述步骤S2中的增加晶圆扫描片数即增加扫描一批产品的某些单序号或双序号数的晶圆。

上述的方法，其中，所述步骤S2中的微观检查为使用另一种机台进行微观检测，得到并放大晶圆缺陷位置。

上述的方法，其中，所述步骤S2中确定进行增加晶圆扫描片数和微观检查操作后，良率工程师根据初步的缺陷判断，调整扫描程式、扫描机台和扫描晶圆。

上述的方法，其中，扫描机台具备有标准规格控制软件。

上述的方法，其中，所述操作系统为自动生产物料运输系统。

上述的方法，其中，所述自动物料运输系统包括：自动调用产品机台，自动扫描机台，自动目检机台。

上述技术方案具有如下优点或有益效果：

通过上述方法，在自动生产机台的帮助下，可以减少繁琐的工程师手工工作，工程师只需要根据操作系统的步骤指导下对每一次扫描的结果进行判断即可，这样减少工程师手动操作时可能存在的错误隐患，或者工程师记错批号和缺陷导致一些有缺陷的产品放行的问题，操作方便，非常的使用。

附图说明

参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。

图1是超规格操作流程示意图。

具体实施方式

本发明提供一种改进产品标准的方法，可应用于半导体生产自动化控制领域，优选的可应用于大于等于130nm、90nm、65/55nm、45/40nm、32/28nm和小于等于22nm等技术节点的工艺中，并运用于YEOCAPDispatchFlow等技术平台和YE的技术模组中，当使用该方法后，能够通过自动生产机台的帮助可以减少工程师繁琐的手工工作，以及在手动操作时产生的误操作。