[发明专利]一种像素结构及其制作方法

权利要求书

1.一种像素结构，其包括：

一基板，其上设置有：

第一公共电极线，具有一缝隙；

第二公共电极线，与该第一公共电极线交叉设置围成像素区域；

一数据线，设置在该像素区域的垂直方向上，且穿过该第一公共电极线的该缝隙；

一扫描线，设置在该像素区域的水平方向上，且与该数据线彼此交叉设置；

一主动元件，设置于该数据线与该扫描线交叉区域；

一像素电极，且通过一接触孔与该主动元件电性连接。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第二公共电极线上下贯穿，且与该第一公共电极线同层。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该第一、二公共电极线与该数据线同层，该第二公共电极线平行于该数据线。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该第一公共电极线与该数据线间隔为2um以上。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：该第一、二公共电极线配置于该像素电极的下方，且与该像素电极部分重叠形成存储电容。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于：该像素电极与该第一、二公共电极线存在1um以上的重叠部分。

7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于：相邻两像素电极之间的间隔大于等于4um。

8.一种如权利要求1所述像素结构的制作方法，其包括以下步骤：

步骤a,在一基板上，形成第一层金属薄膜图案，其包括扫描线；

步骤b,在该第一金属层的图案上，形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方形成半导体图案；

步骤c,在该半导体层的图案上，形成第二层金属薄膜图案，其包括数据线，第一、第二公共电极线，薄膜晶体管的源极、漏极；

步骤d,在该第二金属层图案上，形成透明的保护绝缘层，在该保护绝缘层的上方形成透明的有机绝缘膜，然后形成薄膜晶体管漏极上方的一接触孔；

步骤e,在该有机绝缘膜和该接触孔的上方形成像素电极。