[发明专利]一种像素结构及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种像素结构及其制造方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)是由阵列基板、彩色滤光片基板以及充满于这两块基板之间的液晶共同形成的。阵列基板上的传统像素结构，扫描线和公共电极线相互平行排列，同时跨过数据线与数据线交叉。这种结构在扫描线端子一侧以及扫描线端子对面一侧同时向显示区域内的公共电极线导入公共电极电位。该结构采用由第一层金属形成的公共电极线与像素电极形成存储电容。

基于传统像素结构的阵列基板，进入扫描线端子一侧的公共电极电位来自于数据线端子模块。这个公共电极电位通过与数据线同层的第二层金属由上而下依次跨过每一条数据线把电位供给给所有的公共电极线。由于这条用于导入公共电极电位的第二层金属线从数据线端子部引入公共电极电位后所跨过的距离很长，使得进入显示区域前的公共电极线阻抗比较大。影响了公共电极线的电位供给能力。

在显示单元中，公共电极线和像素电极之间形成的存储电容中间隔着栅极绝缘层和钝化层。由于隔着两层绝缘薄膜，为了获得较大的存储电容值，通常的做法是增加公共电极线的面积，这样就会降低显示单元的开口率。

为了解决上述传统像素结构中的缺陷，发明专利CN101334564A公开了一种可以降低公共电极线的阻抗、利用更窄的公共电极线形成存储电容的像素结构。所用的技术方案是让数据线和公共电极线相互平行排列，同时跨过扫描线与扫描线交叉，公共电极线所需的电位在每个数据线端子模块的两侧分别引入，由数据线端子一侧以及数据线端子的对面一侧分别导入显示区域。将传统像素结构中由第一金属层公共电极与像素电极形成的存储电容改为由第二金属层公共电极与像素电极形成存储电容，减小了金属公共电极线与像素电极之间的距离，增大了存储电容。这样就可以利用更窄的公共电极线来实现原来所需的存储电容值。

发明专利CN101334564A公开的技术方案主要应用于扭曲向列相(TN)液晶显示模式的像素结构，显示品质有待改善；并且像素之间需要留出一定的间隙，牺牲了部分开口率。

随着对显示品质的不断要求，垂直配向(Vertical Alignment,VA)液晶显示面板在高端液晶应用较多，属于广视角面板。在众多的VA液晶显示技术中，UV2A技术具有高透过率、高对比度及快速响应等优势，并且相比IPS、FFS等其他广视角技术具有高对比度的优点。然而，随着面板解析度的要求越来越高，在现有UV2A技术上，需要再进一步提高透过率。

发明内容

有鉴于此，针对现有技术中的不足，本发明提供一种像素结构及其制作方法，本发明像素结构通过在像素区域的四个边界配置公共电极线，其不仅可以起到遮光效果，还可以大幅提高像素的开口率。

本发明一实施例提供一种像素结构，其包括：一基板，其上设置有：第一公共电极线，具有一缝隙；第二公共电极线，与该第一公共电极线交叉设置围成像素区域；一数据线，设置在该像素区域的垂直方向上，且穿过该第一公共电极线的该缝隙；一扫描线，设置在该像素区域的水平方向上，且与该数据线彼此交叉设置；一主动元件，设置于该数据线与该扫描线交叉区域；一像素电极，且通过一接触孔与该主动元件电性连接；

优选地，所述第二公共电极线上下贯穿，且与该第一公共电极线同层。

优选地，该第一、二公共电极线与该数据线同层，该第二公共电极线平行于该数据线，

优选地，该第一公共电极线与该数据线间隔为2um以上。

优选地，该第一、二公共电极线配置于该像素电极的下方，且与该像素电极部分重叠形成存储电容。

基于上述实施例，本发明还提供了一种像素结构的制作方法，其包括以下步骤：

步骤a,在一基板上，形成第一层金属薄膜图案，其包括扫描线；

步骤b,在该第一金属层的图案上，形成栅极绝缘层，在该栅极绝缘层的上方形成半导体图案；

步骤c,在该半导体层的图案上，形成第二层金属薄膜图案，其包括数据线，第一、第二公共电极线，薄膜晶体管的源极、漏极；

步骤d,在该第二金属层图案上，形成透明的保护绝缘层，在该保护绝缘层的上方形成透明的有机绝缘膜，然后形成薄膜晶体管漏极上方的一接触孔；

步骤e,在该有机绝缘膜和该接触孔的上方形成像素电极。

本发明与现有技术相比，其优点在于：所述像素结构的四个边界都由遮光的公共电极线包围形成，可以大幅提高像素的开口率。

附图说明

图1为本发明UV²A像素结构示意图；